| 主权项 |
1.一种半导体制程之保护层形成方法,将保护层形成于半导体金属图案之上,该方法至少包含:形成氧化矽层或氮氧化矽层于该金属图案之上作为垫层;形成一未掺杂之矽化玻璃(undoped silicate glass;USG)层于该垫层上;及使用电浆强化的化学气相沈积法(PECVD),形成一氮化矽层于该未掺杂的矽化玻璃(USG)层之上。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该垫层的厚度小于约1000埃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该未掺杂的矽化玻璃(USG)层的厚度约为1000至6000埃。4.如申请专利范围第1项之方法,其中形成未掺杂的矽化玻璃(USG)层的步骤包含使用一次大气压的化学气相沈积法(SACVD)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中形成未掺杂的矽化玻璃(USG)层的步骤包含使用一常压的化学气相沈积法(APCVD)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中形成未掺杂的矽化玻璃(USG)层的制程温度约为380至420℃。7.如申请专利范围第1项之方法,更包含提供臭氧及TEOS作为形成未掺杂的矽化玻璃(USG)层的反应源。8.如申请专利范围第7项之方法,更包含提供氧气作为该臭氧的载气,该氧气的气体流量约为4000至6000sccm。9.如申请专利范围第7项之方法,更包含提供氢气作为该TEOS的载气,该氢气的气体流量约为3000至5000sccm。10.如申请专利范围第1项之方法,更包含提供SiH4.NH3.N2.N2O作为形成该氮化矽层的反应气体。11.如申请专利范围第1项之方法,更包含提供SiH2Cl2.NH3.N2.N2O作为形成该氮化矽层的反应气体。12.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该氮化矽层的制程温度约为350℃至450℃。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该氮化矽层的厚度约为3000埃至7000埃。图式简单说明:第一图为传统制程,在高密度金属内连线间形成保护层内孔隙之截面图;第二图为传统保护层制程,在相邻金属连线间,其阶梯覆盖情形不佳之截面图;第三图为本发明在高密度金属内连线层上,形成一垫层之截面图;第四图为本发明在垫层上,形成一未掺杂的矽化玻璃(USG)层之截面图;第五图为本发明在未掺杂的矽化玻璃(USG)层上,形成一氮化矽层之截面图;及第六图为本发明在相邻金属连线间,提供良好阶梯覆盖性之截面图。 |
