| 主权项 |
1.一种多重曝光方法,适用于一光阻层定义一矩形图案,包括下列步骤:于上述光阻层形成具有第一及第二对边组之对应于上述矩形图案之矩形区域;于上述光阻层中之第一曝光区域执行第一曝光制程,上述第一曝光区域系与上述矩形区域以第一对边组之延伸方向为边界;于上述光阻层中之第二曝光区域执行第二曝光制程,上述第二曝光区域系与上述矩形区域以第二对边组之延伸方向为边界;及于上述第一曝光区域及第二曝光区域执行显影制程,使得上述矩形图案显现于基底。2.如申请专利范围第1项所述之多重曝光方法,其中上述光阻层为正光阻。3.如申请专利范围第2项所述之多重曝光方法,其中上述矩形图案为凹孔形结构。4.如申请专利范围第1项所述之多重曝光方法,其中上述光阻层为负光阻。5.如申请专利范围第4项所述之多重曝光方法,其中上述矩形图案为岛形结构。6.一种多重曝光方法,适用于一光阻层定义一矩形图案,包括下列步骤:于上述光阻层形成具有第一对边组及大于上述第一对边组之第二对边组之对应于上述矩形图案之矩形区域;于上述光阻层中之第一曝光区域执行第一曝光制程,上述第一曝光区域系与上述矩形区域以第一对边组之延伸方向为边界;分别于上述光阻层中之第二曝光区域与第三曝光区域执行第二曝光制程及第三曝光制程,上述第二曝光区域及第三曝光区域与上述矩形区域以第二对边组之延伸方向为边界;及于上述第一曝光区域、第二曝光区域及第三曝光区域执行显影制程,使得上述矩形图案显现于基底。7.如申请专利范围第6项所述之多重曝光方法,其中上述光阻层为正光阻。8.如申请专利范围第7项所述之多重曝光方法,其中上述矩形图案为凹孔形结构。9.如申请专利范围第6项所述之多重曝光方法,其中上述光阻层为负光阻。10.如申请专利范围第9项所述之多重曝光方法,其中上述矩形图案为岛形结构。11.一种多重曝光方法,适用于一光阻层定义一矩形图案,包括下列步骤:于上述光阻层形成对应于上述矩形图案之矩形区域,其中上述矩形区域具有第一边、第二边、第三边以及第四边;于上述光阻层中之第一曝光区域执行第一曝光制程,上述第一曝光区域系与上述矩形区域以上述第一边之延伸方向为边界;于上述光阻层中之第二曝光区域执行第二曝光制程,上述第二曝光区域系与上述矩形区域以上述第二边之延伸方向为边界;于上述光阻层中之第三曝光区域执行第三曝光制程,上述第三曝光区域系与上述矩形区域以上述第三边之延伸方向为边界;于上述光阻层中之第四曝光区域执行第四曝光制程,上述第四曝光区域系与上述矩形区域以上述第四边之延伸方向为边界;及于上述第一曝光区域、第二曝光区域、第三曝光区域及第四曝光区域执行显影制程,使得上述矩形图案显现于基底。12.如申请专利范围第11项所述之多重曝光方法,其中上述光阻层为正光阻。13.如申请专利范围第12项所述之多重曝光方法,其中上述矩形图案为凹孔形结构。14.如申请专利范围第11项所述之多重曝光方法,其中上述光阻层为负光阻。15.如申请专利范围第14项所述之多重曝光方法,其中上述矩形图案为岛形结构。图式简单说明:第1图系显示传统直接于光阻层转移待定义图案之配置图。第2图系显示传统直接于光阻层转移待定义图案之另一配置图。第3A图至第3D图系显示根据本发明第一实施例所述之多重曝光方法之操作流程示意图。第4A图至第4D图系显示根据本发明第二实施例所述之多重曝光方法之操作流程示意图。第5A图至第5F图系显示根据本发明第三实施例所述之多重曝光方法之操作流程示意图。第6A图及第6B图系显示线条式之光罩。 |
