| 发明名称 |
ION SOURCE FOR ION IMPLANTATION |
| 摘要 |
An ionization source (42) for an ion implantation system (43) includes an ionization chamber (44) having a plurality electron guns (70).
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| 申请公布号 |
WO02063653(A1) |
申请公布日期 |
2002.08.15 |
| 申请号 |
WO2002US03258 |
申请日期 |
2002.02.05 |
| 申请人 |
SEMEQUIP, INC.;HORSKY, THOMAS, N. |
发明人 |
HORSKY, THOMAS, N. |
| 分类号 |
H01J37/08;H01J37/317;(IPC1-7):H01J27/00 |
主分类号 |
H01J37/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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