制作非易失性存储器的方法

摘要

本发明公开了一种制作非易失性存储器的方法。根据本发明，在非易失性存储器中把相等的电压施加到沿位线两侧形成的栅极上，控制栅极的连续性可以通过控制栅极在单元阵列内的互连而得到提高，结果达到器件更高的集成度和使其中电阻率降低，因此提高了器件的产量。

主权项

1.一种制作非易失性存储器的方法，包括以下步骤：依次在硅衬底上形成场氧化膜，隧道氧化膜，第一多晶硅层和中间绝缘层；用浮栅极掩模和蚀刻法第一次蚀刻所述第一多晶硅层；由杂质离子注入法形成位线；由氧化方法在沿源极接点侧面通过的所述位线上形成厚氧化膜；在所述处理后产生的全部构造上形成第二多晶硅层；用控制栅极掩模和蚀刻法蚀刻所述第二多晶硅层，由此沿所述位线两侧形成控制栅极，互连位于所述位线上方的所述控制栅极； 由自对准蚀刻方法第二次蚀刻所述第一多晶硅层，由此形成浮栅极；由杂质注入法形成虚拟地线；在所述控制栅极上形成绝缘膜，然后由氧化方法形成选择栅极氧化膜；在所述处理后产生的全部构造上形成第三多晶硅层，然后用选择栅极掩模和蚀刻法蚀刻所述第三多晶硅层，由此形成选择栅极。