| 主权项 |
1.一种于复数个制程操作后修复晶圆载体之方法,其间载体于以至少一磨擦或化学反应移除晶圆物质之制程仪器中承载复数个半导体晶圆,此晶圆载体中有凹洞以于每一个凹洞承接个别之晶圆及可移除之环状插入物,每一插入物可由个别的凹洞承接以联结其中一片晶圆之周边边缘,该插入物之厚度于该复数个制程操作期间被减少,此方法包括:由晶圆载体移除至少一该之插入物,而且于晶圆载体安装至少一厚度相当地大于最小厚度之新插入物以延长晶圆载体之使用寿命并改善以晶圆载体处理后晶圆表面之平坦性及平行性。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该移除步骤于至少一些该插入物有比最小厚度更薄或相同之厚度后执行之。3.如申请专利范围第1项之方法,该方法与该连续制程操作结合,其中每一该制程操作包括:a)将载体置入制程仪器,b)将插入物置入该载体中之凹洞,c)将晶圆置入插入物,d)将每一晶圆之上下表面与制程仪器相对的上压盘与下压盘之一接触以同时由每一晶圆之前后表面移除晶圆物质,并e)将晶圆由载体移除。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该移除至少一插入物之步骤于预设之制程操作次数后执行。5.如申请专利范围第3项之方法,进一步包括决定于制程仪器处理后晶圆之边缘滚降値并且如果边缘滚降値超过预设限制,则执行该移除至少一插入物并安装一新插入物之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该插入物以塑胶及金属构成。7.一种晶圆载体,其系在利用至少一研磨与化学反应物移除晶圆材料的处理操作期间以将复数个半导体晶圆维持在处理装置上,该处理装置经过改造可同时去除每个晶圆前后表面上的晶圆材料,该载体包含;一于其上有开孔之物质坏料;以及一配置于开孔之插入物以承载该之晶圆之一并联结晶圆之周边边缘,以在载体旋转时捉住晶圆以致防止于制程操作中对晶圆边缘之伤害;此插入物于开孔处以可移除之方式与载体联结并以可松开之方式于开孔处被握持,使得该插入物可以非破坏性方式被移开,并以另一插入物移除以延长晶圆载体之使用寿命,并改善以晶圆载体处理后该晶圆之前后表面之平坦性及平行性。8.如申请专利范围第7项之晶圆载体,其中该插入物以塑胶及金属制成。9.如申请专利范围第7项之晶圆载体,进一步包括与将插入物架设于开孔中之开孔有关之架设结构。10.如申请专利范围第9项之晶圆载体,其中该插入物有凸型装置于其中一体成型以联结坏料中之架设结构,此架设结构包括凹型装置其大小及形状可与凸形装置配对。图式简单说明:图1为本文发明该晶圆载具示意图;图2为抛光仪器图样透视图;图3为载体插入物示意图;图4为抛光中晶圆,载体及抛光仪器之抛光垫截断面放大部份;图4A为抛光后晶圆截断面;图5为晶圆载体二次具体实施例示意图;图6为插入物二次具体实施例截断面示意图;图7为抛光中晶圆,先前技艺载体及抛光仪器之抛光垫截断面放大部份;图7A为以先前技艺载体抛光后晶圆截断面,以及图8为一图显示先前技艺载体于连续抛光操作后金属及塑胶部份平均厚度。 |
