| 主权项 |
1.一种OPC方法,用于产生更正图案(64,72)于一相移遮罩及其修整遮罩,其中一初始布局(10)系预先决定藉由一蚀刻方法(74)之辅助,以制造一电路结构,自该初始布局(10),一图案(56)系产生于一相移遮罩,其系用于制造一部分的该电路结构,其中自该初始布局(10),一修整遮罩之一图案(58)之产生,系藉使邻近该第一部分的导体结构之该电路结构之结构可被制造,以及其中该相移遮罩之该图案(56)与该修整遮罩之该图案(58)被更正,考量在光蚀刻过程中影响成像之该图案之该结构之邻近区域,而使得一电路结构其藉由更正图案(64,72)而产生,系相似关于该初始布局(10)之几何学,更胜于一电路结构,其系藉由该未更正图案(56,58)而产生,其中在该更正过程中,该相移遮罩之该图案首先被更正,系根据一第一更正步骤(60)中该相移遮罩之该图案之更正规则,且其后该修整遮罩之该图案被更正,系根据一第二更正步骤(66)中利用该相移遮罩之该更正图案(64),该修整遮罩之该图案之更正规则,或在该更正过程中,该修整遮罩之该图案首先被更正,系根据一第一更正步骤中该修整遮罩之该图案之更正规则,且其后该相移遮罩之该图案被更正,系根据一第二更正步骤中利用该修整遮罩之该更正图案,该相移遮罩之该图案之更正规则。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在该第一更正步骤中,实质上全部或各自之首先更正之该遮罩之该图案之所有更正,其完成系根据首先更正之该遮罩之该预先决定的更正规则,以及在第二更正步骤中,实质上全部或各自之更正为该第二遮罩之该遮罩之图案之所有更正,其完成系根据更正为该第二遮罩之该遮罩之该预先决定的更正规则。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一更正步骤(60)之完成系利用该修整遮罩之该未更正图案(56),以更正该相移遮罩之该图案,或该第一步骤之更正该修整遮罩之该图案之完成,系藉由利用该相遮罩之该未更正图案(56)。4.如申请专利范围第3项之方法,其中在该第一更正步骤中,实质上全部或各自之首先更正之该遮罩之该图案之所有更正,其完成系根据首先更正之该遮罩之该预先决定的更正规则,以及在第二更正步骤中,实质上全部或各自之更正为该第二遮罩之该遮罩之图案之所有更正,其完成系根据更正为该第二遮罩之该遮罩之该预先决定的更正规则。5.如前述申请专利范围中第1至4项中之任一项之方法,其中该图案(56,58,64,72)之定义系藉由遮罩资料,且该方法之完成系利用至少一资料处理系统之辅助。6.如前述申请专利范围中第5项之方法,其中该更正图案(64,72)自动完成,作为模仿一相移遮罩与∕或一修整遮罩与∕或一积体电路之制造之基础。7.如前述申请专利范围中第5项之方法,其中该更正系自动完成。8.如前述申请专利范围中第7项之方法,其中该更正图案(64,72)自动完成,作为模仿一相移遮罩与∕或一修整遮罩与∕或一积体电路之制造之基础。9.如前述申请专利范围中第1至4项中之任一项之方法,其中该更正系自动完成。10.如前述申请专利范围中第9项之方法,其中该更正图案(64,72)自动完成,作为模仿一相移遮罩与∕或一修整遮罩与∕或一积体电路之制造之基础。11.如前述申请专利范围中第1至4项中之任一项之方法,其中该更正图案(64,72)自动完成,作为摸仿一相移遮罩与∕或一修整遮罩与/或一积体电路之制造之基础。12.一种用于更正一相移遮罩及其修整遮罩图案之装置,特别系用于一资料处理系统,包含一记忆体单元,以储存一初始布局(10)之资料,一相移遮罩之图案(56)之资料,以及一修整遮罩之该图案(58)之资料,该初始布局(10)藉由一蚀刻方法之辅助,用以制造一电路结构,该相移遮罩可用于制造一部分的该电路结构,以及该修整遮罩可用于制造邻近该第一部分之该电路结构之电路结构之该结构,以及包含一更正单元,用以更正该相移遮罩之该图案(56)与该修整遮罩之该图案(58),考量在光蚀刻过程中影响成像之该图案之该结构之邻近区域,而使得一电路结构其藉由更正图案(64,72)而产生,系相似关于该初始布局(10)之几何学,更胜于一电路结构,其系藉由该未更正图案(56,58)而产生,该更正单元之建构方式为在更正过程中,该相移遮罩之图案(56)首先被更正,系根据一第一更正步骤(60)中该相移遮罩之该图案之更正规则,且其后该修整遮罩之该图案(58)被更正,系根据一第二更正步骤(66)中利用该相移遮罩之该更正图案(64),该修整遮罩之该图案之更正规则,或该更正单元之建构方式为在更正过程中,该修整遮罩之该图案首先被更正,系根据一第一更正步骤中该修整遮罩之该图案之更正规则,且其后该相移遮罩之该图案被更正,系根据一第二更正步骤中利用该修整遮罩之该更正图案,该相移遮罩之该图案之更正规则。13.如申请专利范围第12项之装置,其建构方式为在其运作过程中,系用如申请专利范围第1至11项任一项之方法所完成。14.一种用于产生一相移遮罩及其修整遮罩之更正图案(64,72)之程式,其包含其藉由一处理器执行的指令顺序,读取一初始布局(10)之资料以藉由一蚀刻方法之辅助制造一电路结构,一相移遮罩之一图案(56)之资料,以及一修整遮罩之一图案(58)之资料,该相移遮罩可用于制造一部分的该电路结构,以及该修整遮罩可用于制造邻近该第一部分之电路结构之该电路排列之该结构,该相移遮罩之该图案(56)与该修整遮罩之该图案(58)被更正,考量在光蚀刻过程中影响成像之该图案之该结构之邻近区域,而使得一电路结构其藉由更正图案(64,72)而产生,系相似关于该初始布局(10)之几何学,更胜于一电路结构,其系藉由该未更正图案(56,58)而产生,该相移遮罩之该图案(56)首先被更正,系根据一第一更正步骤(60)中该相移遮罩之该图案之更正规则,且其后该修整遮罩之该图案被更正,系根据一第二更正步骤(66)中利用该相移遮罩之该更正图案(64),该修整遮罩之该图案之更正规则,或该修整遮罩之该图案首先被更正,系根据一第一更正步骤中该修整遮罩之该图案之更正规则,且其后该相移遮罩之该图案被更正,系根据一第二更正步骤中利用该修整遮罩之该更正图案,该相移遮罩之该图案之更正规则。15.如申请专利范围第14项之程式,其中该指令中之部份包含于一档案中,其包含用于控制该程式之一指令语言之指令。16.如申请专利范围第14或15项之程式,其中在该指令执行过程中,如申请专利范围第1至11项任一项之方法被完成。17.一种积体电路结构(260),其中该电路结构(260)藉由利用一相移遮罩与一修整遮罩产生,其系基于由申请专利范围第1至11项任一项之方法之辅助所产生之一图案。18.一种相移遮罩,其图案系藉由申请专利范围第1至11项任一项之方法之辅助所产生。19.一种修整遮罩,其图案系藉由申请专利范围第1至11项任一项之方法之辅助所产生。图式简单说明:第一图说明具有两个活性区之一初始布局图;第二图说明产生一积体电路之方法步骤;第三图说明一相移遮罩之未更正图案;第四图说明一更正的相移遮罩之更正图案;第五图说明一修整遮罩之未更正图案;第六图说明一更正的修整遮罩之更正图案;第七图说明藉由利用该更正图案模仿该积体电路生产过程之结果;第八图系利用未更正图案产生之一积体电路之图示,此图系藉由扫描电子显微镜而得,以及第九图说明藉由利用未更正图案模仿该积体电路生产过程之结果。 |
