| 主权项 |
1.一种制程室(process chamber)废气处理系统,该系统包含:一箱体(box);一废气进入机构(residual gas inlet mechanism),其与该箱体连结,用以导入待处理之一废气;至少一个第一气体进入机构(first gas inlet mechanism),其与该箱体连结,用以将一惰性气体(inert gas)导入该箱体;至少一个第二气体进入机构(second gas inlet mechanism),其与该箱体连结,用以将一反应气体(reacting gas)导入该箱体;以及一气体排出机构(gas outlet mech-anism),其与该箱体连结,用以将未反应之该废气、该惰性气体、以及该反应气体之混合气体排放出去。2.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该废气系包含矽烷(SiH4)。3.如申请专利范围第2项所述之系统,其中该惰性气体系氮气(N2)。4.如申请专利范围第3项所述之系统,其中该反应气体系CDA(clean dry air)。5.如申请专利范围第4项所述之系统,其中该氮气与该含矽烷之废气体积比例约为200:1。6.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该气体排出机构之另一端连接一湿式洗涤器(wet scrubber),该废气、该惰性气体、以及该反应气体之混合气体体积于常压下不超过该湿式洗涤器之容积。7.如申请专利范围第1项所述之系统,其中更包含一粉末收集装置,连结于该箱体之一底部,当废气与该反应气体发生反应,所产生的一粉末状产物会籍由重力坠落至该粉末收集装置内。8.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该箱体内更设置有复数个挡板(baffle),用以增加废气流动之路径,以延长废气之反应时间。9.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该反应气体系空气(air)。10.如申请专利范围第7项所述之系统,其中该粉末收集装置进一步包含至少二个阀门,当系统处于运作状态,可选择性地由控制该二阀门之开启及关闭,以清除该粉末收集装置内积聚之粉末状产物。11.如申请专利范围第1项所述之系统,进一步包含位于该箱体表面之一气压度量装置,用以量测并监控该箱体内之气体压力。12.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该系统进一步包含一水冷式水管,当该废气与该反应气体产生放热反应而导致系统过热时,该水冷式水管可改善该系统之散热效果。13.一种处理制程室废气之方法,其包含下列步骤:提供一箱体;导入一废气、一惰性气体、与一反应气体至该箱体内部,降低废气之易爆性,并产生一粉末状产物;以及提供一气体排出机构与该箱体连结,以将未反应之该废气、该惰性气体、以及该反应气体之混合气体排放出去。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该废气系包含矽烷(SiH4)。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该惰性气体系氮气(N2)。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该反应气体系CDA(clean dry air)。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该氮气与该含矽烷之废气比例约为200:1。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中连接一湿式洗涤器(wet scrubber)于该气体排出机构之另一端,该废气、该惰性气体、以及该反应气体之混合物体积于常压下不超过该湿式洗涤器之容积。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中于该箱体底部设置一粉末收集装置,供收集该粉末状产物。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中提供复数个挡板于该箱体内部,用以增加废气流动之路径,以延长废气反应的时间。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该反应气体系空气(air)。22.如申请专利范围第19项所述之方法,其中进一步设置至少二个阀门于该粉末收集装置上,当系统处于运作状态,可藉由控制阀门之开启、关闭以清除该粉末收集装置内积聚之粉末状产物。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中进一步连接一气压度量装置于该箱体表面,用以量测并监控该箱体内之气体压力。24.如申请专利范围第13项所述之方法,其中进一步设置一水冷式水管于该箱体外,当该废气与该反应气体产生放热反应而导致箱体过热时,该水冷式水管可改善箱体之散热效果。图式简单说明:图一系用来处理以矽烷(silane)为主要成分的半导体制程废气之习知技术流程图。图二系根据本发明所示之制程室废气处理装置。图三系揭示本发明之制程室废气处理流程图。 |
