| 主权项 |
1.一种位准移位电路,具有用于输入区段之电容装置(C11)、用于设定输入信号之直流电压位准而与电容装置(C11)电容性耦合之偏压设定装置(p11,n11)及用以放大设定直流电压位准之输入信号振幅的放大装置(p12,n12),该偏压设定装置(p11,n11)系藉着于正电源电压(VDD)与负电源电压(GND)之间提供一电压分配装置及具有一输入信号线之放大装置(p12,n12)而构成。2.如申请专利范围第1项之位准移位电路,其中该放大装置系为CMOS反相电路(p12,n12)。3.如申请专利范围第1项之位准移位电路,其中该p通道电晶体(p12)及n通道电晶体(n12)系作为电压分配装置。4.如申请专利范围第1项之位准移位电路,其中电容器(C82,C83;C92,C93)系作为电压分配装置。5.如申请专利范围第1项之位准移位电路,其中电阻器(R101,R102)系作为电压分配装置。6.如申请专利范围第3项之位准移位电路,其中该偏压设定装置之结构系为该p通道电晶体(p11)之源极及n通道电晶体(n11)之闸极系连接于正电源电压(VDD),p通道电晶体(p11)之闸极及n通道电晶体(n11)之源极系连接于负电源电压(GND),而p通道电晶体(p11)之汲极及n通道电晶体(n11)之汲极系连接于该放大装置(p12,n12)之输入接头。7.如申请专利范围第3项之位准移位电路,其中该偏压设定装置之结构系为该p通道电晶体(p41)之源极系连接于正电源电压(VDD),n通道电晶体(n42)之源极系连接于负电源电压(GND),而p通道电晶体(p42)之闸极及汲极及n通道电晶体(n41)之闸极及汲极系连接于该放大装置(p43,n43)之输入接头。8.如申请专利范围第3项之位准移位电路,其中该电压分配装置系由多个p通道电晶体及多个n通道电晶体构成。9.如申请专利范围第1项之位准移位电路,其包括一电压固定装置(n52),用以固定藉偏压设定装置(p51,n51)设定之直流电压位准。10.如申请专利范围第9项之位准移位电路,其包括一装置(n74),当由该偏压设定装置(p71,p72,n71,n72)所设定之直流电压位准藉该电压固定装置(n73)固定时,用以补偿电压降。11.一种影像显示装置,采用一位准移位电路,其具有用于输入区段之电容装置、用于设定输入信号之直流电压位准而与电容装置电容性耦合之偏压设定装置及用以放大设定直流电压位准之输入信号振幅的放大装置,该偏压设定装置系藉着于正电源电压与负电源电压之间提供一电压分配装置及具有一输入信号线之放大装置而构成。12.如申请专利范围第11项之影像显示装置,其中该放大装置系为CMOS反相电路。13.如申请专利范围第11项之影像显示装置,其中使用p通道电晶体及n通道电晶体作为电压分配装置。14.如申请专利范围第11项之影像显示装置,其中使用电容器作为电压分配装置。15.如申请专利范围第11项之影像显示装置,其中使用电阻器作为电压分配装置。16.如申请专利范围第11项之影像显示装置,其系包括一电压固定装置,用以固定由该偏压设定装置所设定之直流电压位准。图式简单说明:图1系为显示本发明第一具体实例之位准移位电路之图;图2系为显示本发明第一具体实例之位准移位电路之输入与输出间关系的图;图3系为显示本发明第一具体实例之位准移位电路的另一实例之图;图4系为显示本发明第二具体实例之位准移位电路的图;图5系为显示本发明第三具体实例之位准移位电路的图;图6系为显示本发明第三具体实例之位准移位电路的另一实例之图;图7系为显示本发明第四具体实例之位准移位电路的图;图8系为显示本发明第五具体实例之位准移位电路之图;图9系为显示本发明第五具体实例之另一位准移位电路实例的图;图10系为显示本发明第五具体实例之另一位准移位电路实例之图;图11系为显示驱动器单片式薄膜电晶体液晶显示装置之结构的图;图12系为显示习用位准移位电路之图;且图13系为显示揭示于日本专利公开公告HEI 4-242317中之习用位准电路的图。 |
