| 主权项 |
1.一种具有下列式(Ia)和(Ib)之经氟烷基取代之环三矽氧烷:其中R为具有1至4个碳原子之低碳烷基,Rf具有式(CH2)2-(CR'2)n-CR'3,其中所有或一些R'取代基为F,其余之R'取代基为H,n是0至8之一个不同整数,但Rf在式(Ib)之化合物中不能是(CH2)2-CF3。2.如申请专利范围第1项之经氟烷基取代之环三矽氧烷,其中每一个R'取代基是F。3.如申请专利范围第1项之经氟烷基取代之环三矽氧烷,其中每一个R'取代基是F,R是甲基且n是5。4.一种用以制备同元聚合物之方法,其系将式(Ia)或(Ib)之化合物:其中R为具有1至4个碳原子之低碳烷基,Rf具有式(CH2)2-(CR'2)n-CR'3,其中所有或一些R'取代基是F,其余之R'取代基是H,n是0至8之一个不同整数,但Rf在式(Ib)之化合物中不能是(CH2)2-CF3,在整体或在一种适当溶剂中经阴离子或阳离子聚合产生同元聚合物。5.如申请专利范围第4项之方法,其中聚合为经由三氟甲烷磺酸(triflic酸)所引发之阳离子聚合。6.如申请专利范围第4项之方法,其中聚合为经由一种含锂之硷所引发之阴离子聚合。7.如申请专利范围第6项之方法,其中含锂之硷是二苯基矽烷醇酸二锂或四甲基二矽烷醇酸二锂。8.一种制造嵌段共聚物或随机共聚物之方法,其中至少两个式(Ia),(Ib)化合物和式(II)之环三矽氧烷,环四矽氧烷或环五矽氧烷,其中y是3,4或5,所有或一些R1取代基为具有1至4个碳原子之烷基,乙烯基或苯基,或其中一个R1是如前所界定之Rf,其余之R1取代基为具有1至4个碳原子之烷基,乙烯或苯基,经阴离子或阳离子聚合产生嵌段或随机共聚物。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该阴离子聚合系由一种含有锂之硷所引发。10.如申请专利范围第9项之方法,其中含有锂之硷为二苯基矽烷醇酸二锂或四甲基二矽烷醇酸二锂。 |
