发明名称 | 具有高速缓冲存贮器功能的半导体存贮器件 | ||
摘要 | 一种半导体存贮器件,包括存贮单元阵列、数据输出缓冲器、数据输出端、数据输入缓冲器、数据寄存器以及连在存贮单元阵列、数据寄存器和数据输出缓冲器之间的多路转换器。一般,多路转换器选择存贮在存贮单元阵列中的数据,并将所选择的数据提供给数据输出缓冲器。当所提供的数据具有相同值或一致性的情况下,多路转换器选择存贮在数据寄存器中的数据,并将所选择的数据提供给数据输出缓冲器。 | ||
申请公布号 | CN1087473C | 申请公布日期 | 2002.07.10 |
申请号 | CN95119195.0 | 申请日期 | 1995.10.25 |
申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 李在真;安承汉 |
分类号 | G11C11/34 | 主分类号 | G11C11/34 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
主权项 | 1.一种半导体存贮器件,具有一个用于在其中存贮输入数据的存贮单元阵列、一个用于向外输出存贮在所述数据输出缓冲器中的数据的数据输出缓冲器以及一个用于向外传输来自所述数据输出缓冲器的输出数据的输出端,其特征在于所述半导体存储器件包括:一个数据输入缓冲器,用于将所述数据输出缓冲器的输出数据传输给所述的存贮单元阵列;一个数据寄存装置,用于暂存从所述数据输入缓冲器传输的数据;以及一个在所述存贮单元阵列、所述数据寄存装置和所述输出缓冲器之间连接的多路转换装置,用于在存贮于所述存贮单元阵列中的数据和存贮于所述数据寄存装置中的数据中选择一个数据,并将所选择的数据传输给所述的数据输出缓冲器。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |