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发明名称
Method of making a BICMOS semiconductor device with buried layer
摘要
申请公布号
EP0723295(B1)
申请公布日期
2002.07.10
申请号
EP19960105283
申请日期
1989.04.27
申请人
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人
MAEDA, TAKEO
分类号
H01L21/74;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/092;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/06
主分类号
H01L21/74
代理机构
代理人
主权项
地址
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