| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明解决随半导体装置的高度集成化，按规模原则使元件微细化时，现有接点构造中有结耐压低这种问题。本发明的半导体装置，包括：第一导电型半导体基板(1)；至少一层形成在所述半导体基板(1)中的第一导电型杂质层(6，7，8，11-14)；透过至少一层所述杂质层(6，7，8，11-14)，并延伸至距所述半导体基板(1)主面规定深度以至少延伸超过一杂质层的第二导电型杂质区(9)；以及形成于所述半导体基板(1)上与所述杂质区(9)相接触的接触导体(4)。接触导体(4)加有电压时耗尽层容易变宽，可以使结耐压提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1087496C | 申请公布日期 | 2002.07.10 |
| 申请号 | CN96123103.3 | 申请日期 | 1996.12.09 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 小森重树;山下朋弘;犬石昌秀 |
| 分类号 | H01L23/48 | 主分类号 | H01L23/48 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 赵国华 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型半导体基板(1)；至少一层形成在所述半导体基板(1)中的第一导电型杂质层(6，7，8，11-14)；透过至少一层所述杂质层(6，7，8，11-14)，并延伸至距所述半导体基板(1)主面规定深度以至少延伸超过一杂质层的第二导电型杂质区(9)；以及形成于所述半导体基板(1)上与所述杂质区(9)相接触的接触导体(4)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||