| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种除去半导体膜上发生的突起使其表面平坦并具有良好特性的半导体装置及其制造方法。在绝缘性基板10上形成a-Si膜12并向该a-Si膜12照射激光14使之熔融再结晶来制成p-Si膜13时，对发生的突起100，通过用入射角度60°～90°照射由离子铣法产生的离子束来除去该突起100，p-Si膜13表面变得平坦，可以在p-Si膜13与栅电极15之间获得足够的绝缘。 | ||
| 申请公布号 | CN1172352C | 申请公布日期 | 2004.10.20 |
| 申请号 | CN01112232.3 | 申请日期 | 2001.03.30 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 森本佳宏;米田清 |
| 分类号 | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/265;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征是具备：在绝缘性基板上形成非晶质半导体膜的工序；对该非晶质半导体膜进行加热处理的工序；以及通过照射离子铣的离子束来除去因该加热处理而发生的上述非晶质半导体膜的突起的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||