| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,系于最少一方之表 面对绝缘性基板使用半导体膜,而形成半导体装置 之制造方法,其特征系包含 于上述基板上,形成半导体膜结晶化时做为起点之 复数之起点部的起点部形成工程, 和于形成有上述起点部之上述基板上,形成半导体 膜的半导体膜形成工程, 和对上述半导体膜进行热处理,形成分别以上述复 数之起点部为约略中心之复数之略单结晶粒的热 处理工程, 和将上述半导体膜图案化,形成应为源极范围、汲 极范围及通道形成范围之电晶体范围的图案化工 程, 和于上述电晶体范围上形成闸极绝缘膜及闸极电 极,来形成薄膜电晶体之元件形成工程, 上述起点部形成工程中,系使于上述图案化工程中 之源极范围及汲极范围,包含有上述略单结晶粒地 ,形成上述起点部。 2.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制 造方法,其中,上述起点部,系形成于上述基板之凹 部。 3.如申请专利范围第1项或第2项之任一项所记载之 半导体装置之制造方法,其中,上述热处理工程,系 以雷射照射而进行。 4.如申请专利范围第1项所记载之半导体装置之制 造方法,其中,更且具备由上述闸极绝缘膜及闸极 电极上,对上述源极范围及汲极范围导入杂质之杂 质导入工程, 和对导入有上述杂质之上述源极范围及汲极范围 施加热处理,而恢复该源极范围及汲极范围之结晶 性的结晶性恢复工程。 5.一种半导体装置,系包含以基板上所形成之半导 体膜而形成之薄膜电晶体,所构成之半导体装置, 其特征系 上述半导体膜,系包含有以上述基板上所设之复数 之起点部为起点,而形成之复数之略单结晶粒, 上述薄膜电晶体之源极范围及汲极范围的半导体 膜,系被图案化为包含上述略单结晶粒者。 6.如申请专利范围第5项所记载之半导体装置,其中 ,上述起点部,系形成于上述基板之凹部。 7.如申请专利范围第5项或第6项所记载之半导体装 置,其中,上述起点部,系设置于上述薄膜电晶体之 源极范围及汲极范围。 图式简单说明: |
