发明名称 场效应晶体管及使用该晶体管的显示器件
摘要 本发明提供了一种场效应晶体管,该场效应晶体管包括:包含有机物质的半导体层(15),以及至少电路上互不接触的第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)。第一电极(16)配置在半导体层(15)的上面,第二电极(12)配置在半导体层(15)的下面,第三电极(14)则配置在半导体层(15)的侧面。半导体层(15)与选自第一电极(16)、第二电极(12)和第三电极(14)的两个电极电连接,而电绝缘层(13、17)插入在电极(12、14、16)之间。第一电极(16)位于半导体层(15)的上方以便延伸超出半导体层(15)的外围。通过这样构造,有可能提供一种场效应晶体管以及使用这种场效应晶体管的显示器件,该场效应晶体管具有高度的耐氧和耐水性能,因此即使其中使用有机半导体,仍具有长的寿命。
申请公布号 CN1788355A 申请公布日期 2006.06.14
申请号 CN200580000408.8 申请日期 2005.01.12
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 原田健史;竹内孝之;七井识成;小森一德
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L51/00(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 过晓东
主权项 1.一种场效应晶体管,其包括:包含有机物质的半导体层;第一电极;第二电极;和第三电极,其中所述第一电极配置在所述半导体层的上方,所述第二电极配置在所述半导体层的下方,所述第三电极则配置在所述半导体层的侧方,所述半导体层与选自第一电极、第二电极和第三电极的两个电极电连接,并且所述第一电极位于半导体层的上方,以便延伸超出所述半导体层的外围。
地址 日本大阪府