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发明名称
用于制造快闪记忆体装置之方法
摘要
本发明提供一种用于制造快闪记忆体装置之方法,其藉由移除在一晶圆之边缘处之粒子而当预清洗一穿隧氧化膜时防止粒子在该晶圆的边缘周围散开。因此,其能够解决该穿隧氧化膜品质降低及有缺陷之图案引起的问题。
申请公布号
TW200631135
申请公布日期
2006.09.01
申请号
TW094146411
申请日期
2005.12.23
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
童且德;权在淳
分类号
H01L21/8247
主分类号
H01L21/8247
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
韩国
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