METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 제1 희생 산화막이 기판 상에 형성된다. 그런 다음, 제1 식각 공정에서 상기 제1 희생 산화막을 선정된 깊이로 식각한 반도체 기판 상에 제2 희생 산화막이 형성된다. 여기서, 제2 희생 산화막은 제1 희생 산화막보다 더 얇다. 이어서, 제2 식각 공정 동안 기판 표면을 노출시키기 위해 제2 희생 산화막이 완전히 제거된다. 최종적으로, 산화막이 기판의 노출된 표면 상에 형성된다.