| 发明名称 | 处理半导体结构的方法以及使用其形成用于半导体器件的电容器的方法 | ||
| 摘要 | 在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1881531A | 申请公布日期 | 2006.12.20 |
| 申请号 | CN200610093739.7 | 申请日期 | 2006.06.16 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴哲佑;高镛璿;尹炳文;金坰显;李光旭;柳昌吉;河成昊;宋寓锡;田溶明;朴昇栗 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8242(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种处理半导体结构的方法，该方法包括：使用具有小于水的表面张力的清洁溶液来清洁半导体结构，该半导体结构包括多个图形；以及在醇蒸气气氛中干燥半导体结构。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 | ||