发明名称 无外引脚式积体电路封装方法
摘要 一种无外引脚式积体电路封装方法,一导线架系定义有复数个矩阵排列之单元区,该导线架并具有复数个在该些单元区内之引脚及复数个在该些设于该些单元区之间之连接条。复数个晶片系设置于该些单元区内,并且该导线架系贴附至一胶带。形成一封胶体于该胶带上,以密封该些晶片。之后,选择性移除该胶带,以显露该些连接条,且该胶带系形成为复数个蚀刻遮罩部,该些蚀刻遮罩部系对应于该些单元区。其系省略知图案化光阻层以及光阻层之曝光显影之步骤,进行蚀刻该导线架之该些连接条,以利后续之锯切单离。
申请公布号 TWI269394 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW094128164 申请日期 2005.08.18
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 曾昭明
分类号 H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 张启威 高雄市鼓山区龙胜路68号
主权项 1.一种无外引脚式积体电路封装方法,包含:提供一导线架,其系具有复数个引脚以及复数个连接条,且该导线架系定义有复数个矩阵排列之单元区,该些引脚系位于该些单元区内并连接该些连接条,该些连接条系位于该些单元区之间;设置复数个晶片于该些单元区内;贴附该导线架至一胶带;形成一封胶体于该胶带上,以覆盖该些引脚与该些连接条;选择性移除该胶带,以显露该些连接条,而该胶带被保留于该导线架之部份系形成为复数个蚀刻遮罩部,其系对应于该些单元区;在该些蚀刻遮罩部之保护下,蚀刻该导线架,以去除该些连接条;及切割该封胶体,以单体分离出复数个无外引脚封装构造。2.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中选择性移除该胶带之方法系为切割。3.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中在切割该封胶体之后,另包含:移除该些蚀刻遮罩部。4.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中在切割该封胶体之前,另包含:移除该些蚀刻遮罩部。5.如申请专利范围第3或4项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中移除该些蚀刻遮罩部之方法系为紫外光照射。6.如申请专利范围第4项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中,在移除该些蚀刻遮罩部之后,另包含:电镀形成一金属层于该些引脚之显露下表面及复数个引脚侧面。7.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中,在设置该些晶片之后,另包含:电性连接该些晶片与该导线架之该些引脚。8.如申请专利范围第7项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中,该电性连接方法系包含有:利用打线方式形成复数个焊线。9.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中该些晶片系贴附于该胶带。10.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中该些晶片系贴附于该导线架上。11.如申请专利范围第10项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中该导线架系更具有复数个晶片承座,该些晶片系贴附于该些晶片承座。12.如申请专利范围第1项所述之无外引脚式积体电路封装方法,其中该些蚀刻遮罩部之覆盖面积系小于该些单元区。13.一种无外引脚式积体电路封装构造,包含:一导线架,其系具有复数个引脚,每一引脚系具有一下表面与一引脚侧面;一晶片,其系电性连接至该些引脚;一封胶体,其系覆盖该些引脚且显露该些引脚之该些下表面与该些引脚侧面;以及一由一胶带所形成之蚀刻遮罩部,其系覆盖该些引脚之该些下表面。14.如申请专利范围第13项所述之无外引脚式积体电路封装构造,其中该些引脚侧面系为蚀刻凹口。15.如申请专利范围第13项所述之无外引脚式积体电路封装构造,其另包含有一填充油墨或一防焊材料,其系形成于该些引脚侧面。16.如申请专利范围第13项所述之无外引脚式积体电路封装构造,其另包含有复数个焊线,以连接该晶片之复数个焊垫与该些引脚。17.如申请专利范围第13项所述之无外引脚式积体电路封装构造,其中该晶片系设置于该蚀刻遮罩部上。18.如申请专利范围第13项所述之无外引脚式积体电路封装构造,其中该导线架系更具有一晶片承座,该晶片系贴附于该晶片承座。图式简单说明:第1图:习知无外引脚式积体电路封装制造在锯切前之截面示意图。第2图:习知无外引脚式积体电路封装制程之流程图。第3图:依据本发明之第一具体实施例,一种无外引脚式积体电路封装方法之流程图。第4A至4J图:依据本发明之第一具体实施例,该无外引脚式积体电路封装方法之元件截面示意图。第5图:依据本发明之第一具体实施例,一导线架之下表面示意图。第6图:依据本发明之第一具体实施例,在选择性移除该胶带后该导线架之下表面示意图。第7图:依据本发明之第二具体实施例,另一种无外引脚式积体电路封装方法之流程图。第8A至8G图:依据本发明之第二具体实施例,该无外引脚式积体电路封装方法之元件截面示意图。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号