发明名称 METHOD FOR DEPOSITING ESPECIALLY CRYSTALLINE LAYERS
摘要 Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden von von insbesondere kristallinen Schichten auf insbesondere kristallinien Stubstraten in einer Prozesskammer (1) eines Reaktorgehäuses mit wassergekühlter Wand (2) wobei der Boden (3) der Prozesskammer (1) beheizt wird, und wobei als Prozessgas ein oder mehrere Reaktionsgase zusammen mit Wasserstoff als Trägergas zentral in die Prozesskammer (1) eingeleitet und durch einen der Prozesskammer (1) umgebenden Gasauslassring (5) abgeführt werden, wobei zwischen Reaktordeckel (6) und Prozesskammerdecke (4) ein Spülgas (7) fliesst, welches zusammen mit einem den Raum (12) zwischen Reaktorwand (2) und Gasauslassring (5) spulenden Spülgas (8) durch einen Spalt (9) zwischen Reaktordecke (4) und des zum Beladen der Prozesskammer (1) absenkbaren Gasauslassringes (5) in den äusseren Bereich (1') der Prozesskammer (1) geleitet werden, um zusammen mit dem Prozessgas (10) durch Öffnungen (11) in den Gasauslassring (54) gesaugt zu werden, wobei das den Raum (12) zwischen Reaktorwand (2) und Gasauslassring (5) spülende Gas Stickstoff oder eine Mischung aus Wasserstoff und Stickstoff ist.
申请公布号 WO02052069(A1) 申请公布日期 2002.07.04
申请号 WO2001EP14064 申请日期 2001.12.01
申请人 AIXTRON AG;DAUELSBERG, MARTIN 发明人 DAUELSBERG, MARTIN
分类号 C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C30B25/14;(IPC1-7):C30B25/14 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
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