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<p>Ein Verfahren zur Charakterisierung und Simulation eines CMP-Prozesses, bei dem ein zu polierendes Substrat, insbesondere ein Halbleiterwafer, auf ein Poliertuch gedrückt und relativ zu diesem für eine bestimmte Polierzeit rotiert wird, umfaßt die Verfahrensschritte: a) Festlegen eines Satzes von Prozeßparametern, insbesondere von Andruckkraft und relativer Rotationsgeschwindigkeit von Substrat und Poliertuch, b) Bereitstellen und Charakterisieren eines Testsubstrats mit Testmustern mit unterschiedlichen Strukturdichten bei den festgelegten Prozeßparametern; c) Bestimmen eines Satzes von Modellparametern zur Simulation des CMP-Prozesses aus den Ergebnissen der Charakterisierung des Testsubstrats; d) Bestimmen von Layoutparametern des zu polierendes Substrats; e) Festlegen eines Anforderungsprofils an das CMP-Prozeßergebnis für das zu polierende Substrat; und f) Simulieren des CMP-Prozesses zur Bestimmung der zur Erfüllung des Anforderungsprofls erforderlichen Polierzeit. Verfahren zum Betrieb einer Testvorrichtung für Halbleiterbauelemente.</p> |
