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Le domaine de l'invention est celui des dispositifs à semi-conducteur utilisés soit pour l'amplification, soit pour la modulation de phase de signaux optiques. Ces dispositifs sont connus sous les termes génériques de SOA, acronyme anglo-saxon signifiant Semiconductor Optical Amplifier et de modulateurs DPSK, acronyme anglo-saxon signifiant Differential Phase Shift Keying.Les inconvénients principaux de ce type de dispositif sont qu'il est, d'une part difficile d'obtenir un gain constant et d'autre part, qu'il est difficile de moduler indépendamment le signal optique en amplitude et en phase.Le dispositif selon l'invention ne présente pas ces inconvénients. Il repose essentiellement sur 3 principes :&circlef; La zone active (1) du dispositif comporte une structure à îlots quantiques, les atomes de ladite structure possédant un premier état de transition d'énergie dit état fondamental et un second état de transition d'énergie dit état excité ;&circlef; La zone active est disposée dans une cavité résonante structurée pour résonner à une première longueur d'onde correspondant à l'état fondamental ;&circlef; Le courant traversant la zone active est supérieur au courant de saturation de l'état fondamental afin de permettre l'oscillation à une seconde longueur d'onde correspondant à l'état excité.
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