发明名称 Trench power MOSFET with planarized gate bus
摘要
申请公布号 KR100710126(B1) 申请公布日期 2007.04.20
申请号 KR20057016438 申请日期 2005.09.03
申请人 发明人
分类号 H01L21/336;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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