发明名称 Substrate flattening method and film-coated substrate and semiconductor device manufacturing method
摘要 <p>본 발명은 요철 표면을 갖는 기재의 요철면을 용이하게 평탄화하는 방법을 제공한다. 평활기재 표면에 구상 미립자 함유 피막을 형성시킨 후, 평활기재 표면에 이 구상 미립자 함유 피막이 형성된 면과 요철 표면을 갖는 기재의 요철면을 밀착시켜, 구상 미립자 함유 피막을 요철 표면을 갖는 기재의 요철면에 전사하여, 이 요철면을 평탄화한다.</p>
申请公布号 KR100342575(B1) 申请公布日期 2002.07.04
申请号 KR19997004142 申请日期 1999.05.10
申请人 null, null;null, null 发明人 무라구찌료;나까시마아끼라;토나이아쯔시;고마쯔미치오;마치다가쯔유끼;규라기하가루;이마이가즈오
分类号 H01L21/316;B05D1/28;G11B5/84 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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