摘要 |
<p>La présente invention concerne des matériaux hautement poreux à faible constante diélectrique mécaniquement renforcés pour permettre leur utilisation comme diélectriques inter-couche dans des circuits intégrés avancés tels que ceux qui intègrent des matériaux diélectriques inter-couche hautement poreux en technologie d'interconnexion à damasquinage du cuivre. Les circuits intégrés matérialisant de tels diélectriques inter-couche mécaniquement renforcés comportent généralement un substrat dans lequel sont interconnectés des éléments électriques, une première couche diélectrique disposée au-dessus du substrat, une pluralité de structures électriquement isolantes disposées sur la première couche diélectrique, et une seconde couche diélectrique disposée sur la première couche diélectrique de façon que le second diélectrique entoure la pluralité de structure. Le procédé de réalisation de diélectriques inter-couche mécaniquement renforcés hautement poreux implique généralement de former une première couche diélectrique sur un substrat, tracer cette première couche diélectrique de façon à former une pluralité de structure dont chacune présente une face supérieure, former une seconde couche diélectrique au-dessus et en position adjacente des structures, cette seconde couche diélectrique présentant une face supérieure, et polir la seconde couche diélectrique de façon que sa face supérieure vienne sensiblement dans le même plan que les faces supérieures des structures. Ces structures peuvent être des massifs rectangulaires, ou de formes géométriques plus complexes. Les structures peuvent être identiques, ou une combinaison entre diverses formes.</p> |