| 摘要 |
<p>다결정 규소층과 BARC(backside anti-reflection coating)를 적층하고, 그 위에 게이트 형성용 감광막 패턴을 형성한다. 감광막 패턴의 CD(critical dimension)를 측정하고 선행된 공정에서 축적한 자료를 토대로 이를 분석하여 BARC 과식각 시간을 조정한다. 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 BARC와 다결정 규소층을 식각하여 게이트를 형성하고 게이트의 CD를 측정한다. 이렇게 선행된 공정에서 축적한 자료를 토대로 하여 식각 시간을 조정함으로써 게이트 CD를 관리하면 게이트 샘플 식각, 샘플 식각 후 세정, 샘플 CD 측정 등의 공정을 생략할 수 있어서 게이트 형성 공정에 드는 시간을 대폭 단축할 수 있고, 게이트 CD 관리 효율도 높일 수 있다.</p> |
