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<p>Es wird vorgeschlagen, zum Aufrauhen der gesamten Oberfläche einer Lumineszenzdiode (1) mit einem Substrat (2) aus SiC und einer Epitaxieschicht (3) aus InGaN ein Plasmaätzverfahren zu verwenden, bei dem neben ätzenden Gaskomponenten auch polymerbildende Komponenten verwendet werden, durch die Oberfläche (5, 6, 7, 8) der Lumineszenzdiode (1) teilweise mit einem Polymerfilm überzogen werden. Durch das Aufrauhverfahren kann die Lichtausbeute um mindestens einen Faktor 2 erhöht werden.</p> |
