| 发明名称 |
Feldeffekttransistor mit einem versiegelten diffundierten Übergang |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69428329(T2) |
申请公布日期 |
2002.07.04 |
| 申请号 |
DE19946028329T |
申请日期 |
1994.11.23 |
| 申请人 |
AT & T CORP., NEW YORK |
发明人 |
LEE, KUO-HUA;LIU, CHUN-TING;LIU, RUICHEN |
| 分类号 |
H01L23/522;H01L21/225;H01L21/336;H01L21/768;H01L29/08;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/225;H01L21/823;H01L23/532 |
主分类号 |
H01L23/522 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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