半导体装置

摘要

本发明的目的是要提供一种对外来过电压具有高的保护性能的半导体装置。该装置在其模拟开关30中具有一个其漏极端子连接于一个P型传输门4的外侧中的P型扩散层，并且其栅极和源极端子连接于电源电位的P型虚拟晶体管11，和一个其漏极端子连接于一个N型传输门5的外侧中的N型扩散层，并且其栅极和源极端子连接于接地电位的N型虚拟晶体管12，并且当从外部施加一个过电压时，使得过电流经过P型和N型虚拟晶体管11和12流向电源电位或接地电位。#!

主权项

1.一种半导体装置包括：多个用于进行信号输入和输出的焊接区；一个具有P型和N型MOS晶体管，用于在所述焊接区之间或是在所述焊接区与内部模拟电路之间传送信号的模拟开关；和一个具有P型和N型保护MOS晶体管，用于保护所述模拟开关的保护电路，其中所述模拟开关中的一个区域中还具有一个N型虚拟晶体管，在该区域中的被所述N型MOS晶体管的栅极分割的扩散层的端点连接于所述焊接区，所述N型虚拟晶体管是通过利用所述扩散层作为漏极并且一个栅极和一个源极连接于接地电位而形成的。