| 发明名称 | 半导体器件的制法 | ||
| 摘要 | 公开了包含安排在半导体衬底(5)上的金属层(10)的半导体器件的制法。本发明方法包含以下步骤:硅层(15)沉积在金属层(10)上;为了使硅层(15)结构化应用了刻蚀掩模;应用上述刻蚀掩模(25)有选择地刻蚀硅层(15);在刻蚀工艺中应用选择性刻蚀的硅层(15)作硬掩模使金属层(10)结构化。 | ||
| 申请公布号 | CN1357156A | 申请公布日期 | 2002.07.03 |
| 申请号 | CN99810496.5 | 申请日期 | 1999.06.16 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | T·罗尔;C·马茹雷－埃斯佩霍;C·德姆 |
| 分类号 | H01L21/3213;H01L21/033 | 主分类号 | H01L21/3213 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;孙黎明 |
| 主权项 | 1.具有在半导体衬底(5)上安排导电层(10)的半导体器件的制法，它具有以下步骤：—硅层(15)沉积到导电层(10)上；—把刻蚀掩模(25)沉积到导电层(10)上，用于硅层(15)的结构化；—在应用刻蚀掩模(25)的条件下有选择地刻蚀硅层(15)；以及—在刻蚀工艺中应用被选择性刻蚀的硅层(15)作硬掩模，导电层(10)结构化。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||