铁电场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开的铁电场效应晶体管,其存储介质层为钛酸铋(BIT)薄膜。其制备方法为:在清洗后Si基片上涂布光刻胶、曝光、显影,得到套刻标记图形后,再刻蚀,得到套刻标记凹痕;涂布光刻胶,光刻形成源区和漏区的注入窗口;进行N⁺离子注入,形成源区和漏区;采用Sol－Gel工艺淀积BIT铁电薄膜;刻蚀掉源区和漏区上方的BIT铁电薄膜,得到源、漏电极窗口;采用直流磁控溅射方法镀Ag金属层,反刻Ag金属层得到源、漏、栅极。本发明有效地克服了一般铁电存储场效应器件界面特性差、易疲劳的缺点,使信息存储时间延长;简化了制作工艺,并有效地提高器件的成品率。本发明仍保持了MFS结构存储器件的优点,并与标准IC工艺兼容。

主权项

1.一种铁电场效应晶体管，由衬底(1)、源区(2)、漏区(4)和位于源区(2)与漏区(4)之间的栅区(3)组成，衬底(1)为(100)晶向的P型单晶硅片，源区(2)和漏区(4)为N+离子注入区，并嵌入衬底(1)的表面，栅区(3)位于衬底(1)的上表面，源区(2)、栅区(3)和漏区(4)表面均有一层Ag电极，分别构成源极(5)、栅极(6)和漏极(7)，其特征在于：栅区(3)为钛酸铋Bi4Ti3O12薄膜层。