晶片封装结构之制造方法

摘要

一种晶片封装结构及其制造方法系以电性连接不同金属层的方式取代传统仅能连接同一金属层之作法，且，直接填充保护层于金属层上并包覆晶片及电性连接结构，异于一般涂布防焊层之方法，再者，利用载板作为支撑，使之可制作更轻薄之基板。又，其制造方法系使用封装业现有制程即可生产，不需增加额外设备或制程，减少印刷电路板之流程，可降低封装成本。

主权项

1.一种晶片封装结构之制造方法,包含: 提供一载板,其上设置一绝缘层与一导电层位于该 绝缘层上; 移除部分该导电层与部分该绝缘层并暴露出该载 板的部分表面; 形成一第一金属层于该导电层、该绝缘层与该暴 露出的表面; 移除部分该第一金属层与部分该导电层并暴露出 部分该绝缘层; 形成一第二金属层于部分该第一金属层上; 设置至少一晶片于部分该第一金属层与部分该第 二金属层之至少任一; 电性连接该晶片至该第一金属层与该第二金属层 之至少任一; 形成一保护层包覆该晶片;及 移除该载板。 2.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该载板系由金属、玻璃、陶瓷或高 分子材质所构成者。 3.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该绝缘层系利用黏贴方式、压合、 印刷、喷涂或旋转涂布法形成。 4.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该绝缘层系为一玻璃纤维预浸布或 高分子材质所构成者。 5.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该导电层系利用黏贴方式、压合、 印刷、喷涂、旋转涂布、蒸镀、溅镀、无电解电 镀或电镀法形成。 6.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,更包含在该导电层上进行棕化、黑化、化 学微蚀、刷磨或喷砂粗化处理。 7.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该第一金属层系利用溅镀法、蒸镀 法、无电解电镀法或电镀法形成。 8.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该第一金属层系为铜材质所构成者 。 9.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,更包含在该第一金属层上进行棕化、黑化 、化学微蚀、刷磨或喷砂粗化处理。 10.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该第二金属层系利用溅镀法、蒸镀 法、无电解电镀法或电镀法形成。 11.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该第二金属层系为金、银、锡、铝 、化学镍金、化学银、化学锡材质、电镀镍金、 电镀银及电镀锡所构成者。 12.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,更包含在该第二金属层上进行棕化、黑化 、化学微蚀、刷磨或喷砂粗化处理。 13.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,移除部分该导电层之步骤系利用微 影制程、模具蚀刻法或雷射雕刻之方法制作。 14.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,移除该绝缘层并暴露出该载板的部 分表面之步骤系利用钻孔、深度控制、雷射或电 浆法形成。 15.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,移除部分该第一金属层与部分该导 电层并暴露出部分该绝缘层之步骤系利用微影制 程、模具蚀刻法或雷射雕刻方法制作。 16.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,更包含以每一该晶片为单位进行切割,以 形成数个晶片封装结构。 17.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该绝缘层为商品化之RCC产品。 18.如申请专利范围第1项所述之晶片封装结构之制 造方法,其中,该导电层为商品化之RCC产品。 19.一种晶片封装结构,包含: 一绝缘层; 一导电层,系设置于部分该绝缘层上; 一第一金属层,系设置于该导电层与暴露出之该绝 缘层上; 一第二金属层,系设置于部分该第一金属层上; 至少一晶片,系设置于该第一金属层与该第二金属 层之至少任一; 一导电连接结构,系电性连接至该晶片至该第一金 属层与该第二金属层之至少任一;及 一保护层,其系直接接触该暴露出的第一金属层、 该第二金属层、该晶片、该导电连接结构、该暴 露出的导电层与该暴露出的绝缘层。 20.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中,该导电连接结构系包含至少一引线或至少一连 接垫。 21.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中,该绝缘层系为一玻璃纤维预浸布或高分子材质 所构成者。 22.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中,该第一金属层系为铜材质所构成者。 23.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中,该第二金属层系为金、银、锡、铝、化学镍金 、化学银、化学锡材质、电镀镍金、电镀银及电 镀锡所构成者。 24.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中,该绝缘层为商品化之RCC产品。 25.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中,该导电层为商品化之RCC产品。 26.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中该保护层为一塑封材料(molding component)所构成。 27.如申请专利范围第19项所述之晶片封装结构,其 中在形成晶片封装结构的过程中更包含一载板设 置于该绝缘层下并露出部分该载板。 28.如申请专利范围第27项所述之晶片封装结构,其 中该第一金属层系设置于该导电层、该载板与暴 露出之该绝缘层上。 29.如申请专利范围第27项所述之晶片封装结构,其 中,更包含于该载板移除后于该露出的第一金属层 上设置一凸块。 30.如申请专利范围第29项所述之晶片封装结构,其 中,该凸块系为锡、锡铅、银、金、金镍材质所构 成。 图式简单说明: 第1图至第12图系为依据本发明一较佳实施例晶片 封装结构及及制造方法之各步骤结构剖视图。