| 发明名称 | 具有浅沟槽隔离结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 具有浅沟槽隔离(STI)结构的半导体器件及其制造方法,能减小P－FET的漏电流,改善存储器件的器件特性,该半导体器件包含具有第一区和第二区的半导体衬底,在第一区中形成有第一沟槽,在第二区中形成有第二沟槽;形成在第一沟槽内表面上的第一侧壁氧化物层;形成在第二沟槽内表面上的第二侧壁氧化物层,该第二侧壁氧化物层的厚度比第一侧壁氧化物层薄;形成在第一和第二侧壁氧化物层上的内衬;和填充第一和第二沟槽的介电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1356722A | 申请公布日期 | 2002.07.03 |
| 申请号 | CN01139652.0 | 申请日期 | 2001.11.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴柱昱 |
| 分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种具有浅沟槽隔离(STI)结构的半导体器件，包括在：具有第一区和第二区的半导体衬底，在第一区中形成有第一沟槽，在第二区中形成有第二沟槽；形成在第一沟槽内表面上的第一侧壁氧化物层；形成在第二沟槽内表面上的第二侧壁氧化物层，该第二侧壁氧化物层的厚度比第一侧壁氧化物层薄；形成在第一和第二侧壁氧化物层表面上的内衬；和填充第一和第二沟槽的介电材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||