发明名称 用于光刻工艺的模拟方法
摘要 揭示一种用于模拟光刻工艺的模拟方法,并且该方法能预估抗蚀剂图形的大小,是借助于决定投射影像中的简化模型来代表抗蚀工艺,而不模拟包括抗蚀工艺的完整工艺过程,来获得扩散投射影像模型(DAIM),然后再把DAIM应用到临界模型。#!
申请公布号 CN1087099C 申请公布日期 2002.07.03
申请号 CN97125740.X 申请日期 1997.12.29
申请人 现代电子产业株式会社 发明人 安昌男;金熙范
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 袁炳泽
主权项 1.一种用于光刻工艺的模拟方法,包括的步骤有:通过输入在I-线抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局,获得一投射影像;将所述投影图像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布,并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散,获得一扩散投射影像;将所述扩散投射影像应用到一临界模型,从而预测抗蚀层图形的大小。
地址 韩国京畿道