发明名称 | 用于光刻工艺的模拟方法 | ||
摘要 | 揭示一种用于模拟光刻工艺的模拟方法,并且该方法能预估抗蚀剂图形的大小,是借助于决定投射影像中的简化模型来代表抗蚀工艺,而不模拟包括抗蚀工艺的完整工艺过程,来获得扩散投射影像模型(DAIM),然后再把DAIM应用到临界模型。#! | ||
申请公布号 | CN1087099C | 申请公布日期 | 2002.07.03 |
申请号 | CN97125740.X | 申请日期 | 1997.12.29 |
申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 安昌男;金熙范 |
分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 袁炳泽 |
主权项 | 1.一种用于光刻工艺的模拟方法,包括的步骤有:通过输入在I-线抗蚀工艺中的曝光装置条件与掩模布局,获得一投射影像;将所述投影图像当作在曝光程序中抗蚀层所产生的酸分布,并且考虑在后烘烤程序中所述酸的扩散,获得一扩散投射影像;将所述扩散投射影像应用到一临界模型,从而预测抗蚀层图形的大小。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |