发明名称 一种发一般亮度白光的发光二极管
摘要 一种发一般亮度白光的发光二极管,包括封装外壳与基座,其特征在于基座上采用峰值波长入在420~480nm的发蓝光的氮化稼铟铝(AlInGaN)发光二极管晶片,与晶片相连接有阳极引线与阴极引线,在晶片上表面有锑锰激活的氯氟磷酸钙类(Ca<SUB>10</SUB>(PO<SUB>4</SUB>)<SUB>6</SUB>FCl:Sb,Mn)涂层。本实用新型的优越性在于:1、实现了发一般亮度白色光的发光二极管产品,填补了市场对最为广泛应用的一般亮度白色光发光二极管需求的空白;2、结构简单,成本低,便于生产制造。
申请公布号 CN2498746Y 申请公布日期 2002.07.03
申请号 CN01234425.7 申请日期 2001.08.20
申请人 天津中环三津有限公司 发明人 刘行仁;张文铭;陈亚方
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 天津德赛律师事务所 代理人 王里歌
主权项 1、一种发一般亮度白光的发光二极管,包括封装外壳与基座,其特征在于基座上采用峰值波长λ在420~480nm的发蓝光的氮化稼铟铝(AlInGaN)发光二极管晶片,与晶片相连接有阳极引线与阴极引线,在晶片上表面有锑锰激活的氯氟磷酸钙类(Ca10(PO4)6FCl:Sb,Mn)涂层。
地址 300457天津市经济技术开发区洞庭路133号