| 摘要 |
一种制造SiC单晶之方法，其包括以下步骤：在由SiC单晶所形成之第一晶种上以第一生长方向上生长第一SiC单晶，将该生长于第一晶种上之第一SiC单晶安置于平行或倾斜于该第一生长方向之方向上且在垂直于该第一生长方向之剖面中的主轴方向上切割所安置之第一SiC单晶以获得第二晶种，使用该第二晶种以令第二SiC单晶在其第二生长方向上生长至大于该剖面中主轴长度之厚度，将该生长于第二晶种上之第二SiC单晶安置于平行或倾斜于该第二生长方向之方向上且在垂直于该第二生长方向之剖面中的主轴方向上切割所安置之第二SiC单晶以获得第三晶种，使用该第三晶种以在其上生长第三SiC单晶，及以暴露{0001}晶面之方式切割在该第三晶种上所生长之第三SiC单晶，藉此获得SiC单晶。此方法能使该晶体有效地增大而不损害结晶性。 |
