发明名称 单结晶SiC制造用原料及其制造方法、利用此原料之单结晶SiC的制造方法、及以此制造方法所得到之单结晶SiC RAW MATERIAL FOR SINGLE CRYSTAL SIC PRODUCTION, PRODUCTION METHOD THEREOF, PRODUCTION METHOD OF SINGLE CRYSTAL SIC USING THE RAW MATERIAL, AND SINGLE CRYSTAL SIC OBTAINED BY THE PRODUCTION METHOD
摘要 本发明旨在提供一种在SiC种单结晶上,可良好地进行输送而不会堵塞的单结晶SiC制造用原料;其制造方法;使用该原料而使单结晶SiC成长为磊晶的方法;及以此制造方法所获得之高品质单结晶SiC。本发明提供一种单结晶SiC制造用原料,其系由二氧化矽与碳的各初级粒子所实质地构成之次级粒子,其特征在于该次级粒子的形状为直径1μm~90μm的略球形。本发明并提供该单结晶SiC制造用原料的制造方法,包含:制造由二氧化矽粒子、碳粒子以及溶媒所构成的浆料的步骤;以及在蒸发装置内使该浆料喷雾乾燥并造粒,以制造出含有二氧化矽与碳的次级粒子之喷雾乾燥的步骤。
申请公布号 TW200813269 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW096116097 申请日期 2007.05.07
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 碇真宪;金庭彻;阿部孝夫
分类号 C30B29/36(2006.01);C30B1/10(2006.01) 主分类号 C30B29/36(2006.01)
代理机构 代理人 周良谋;周良吉
主权项
地址 日本