绝缘膜、多层配线装置之制造方法及多层配线装置

摘要

一用于制造一半导体装置之方法中,包括形成一包括一具有Si-CH3键及Si-OH键的材料之绝缘膜,及以紫外射线来辐照绝缘膜,由于紫外射线辐照之缘故,藉由X-射线之C浓度的减小率、及选自由Si-OH之C-H键、O-H键及Si-O键所组成的群组之一或多个键之减小率不小于10%。提供一具有高膜强度且可防止介电常数由于湿气吸收而增大之低介电常数绝缘膜,一可防止由于寄生电容增大而使装置回应速度延迟及可靠度减低之半导体装置,及其之制造方法。