半导体记忆装置之制造方法

摘要

本发明系在以溅镀法沈积构成相变化记忆体之记忆层的InGeSbTe膜之际,可藉使用原子量大于Ar之Xe等稀有气体元素作为放电气体(溅镀气体),以降低混入InGeSbTe膜中之放电气体之量,故在InGeSbTe膜上沈积上部电极用之导电膜后,施行使InGeSbTe膜结晶化用之热处理之际,可抑制在InGeSbTe膜与导电膜之界面产生空隙等缺失。