| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체장치의 다층 금속배선 식각 방법에 관한 것으로, 반도체기판의 하부 구조물에 다층 금속배선으로서 확산방지막(Ti/TiN)/ 금속막(Al)/ 반사방지막(Ti/TiN)을 순차적으로 적층하고, 적층된 반사방지막 상부에 사진 공정을 진행하여 감광막 패턴을 형성한 후에 다음과 같은 식각 단계로 상기 적층된 막들을 패터닝한다. 먼저, Cl+ BCl+ N를활성화시킨 플라즈마 식각 공정을 실시하여 높은 바이어스 파워로 반사방지막을 투과 식각하고, 동일한 플라즈마 식각 공정에서 바이어스 파워를 낮게 유지하여 금속막을 주 식각한 후에, 역시 동일한 플라즈마 식각 공정에서 바이어스 파워를 높게 승압하여 확산방지막을 과도 식각하여 다층 금속배선을 패터닝하고 감광막 패턴을 제거한다. 이로 인해, 본 발명은 알루미늄의 식각비를 높여 패터닝에 필요한 감광막의 두께를 낮출 수 있으며 티타늄나이트라이드층에 대한 알루미늄의 식각비를 높여 식각률-마이크로-로딩(etch rate micro-loading) 현상을 개선할 수 있는 기술이다.</p> |
