具有渐变化学计量绝缘层之多层穿隧装置

摘要

一种改良及新颖且包括一渐变化学计量绝缘层(16)之多层薄膜装置，以及一种制作包括渐变化学计量绝缘层(16)之多层薄膜装置的方法。该装置结构包括一基材(12)、一第一电极(14)、一第二电极(18)、及形成于该第一电极(14)与该第二电极(18)间一渐变化学计量绝缘层，或是通道障蔽层(16)。该渐变化学计量绝缘通道障蔽层(16)包括渐变化学计量，以补偿厚度断层面，并于结构(10)上产生一个均匀之通道障蔽阻抗。此外，本发明所包括之渐变化学计量绝缘通道障蔽层(16)之多层薄膜装置(10)的制作方法，其包括的步骤有：提供(40)一基材(12)、沉积(44)一第一电极(14)于基材(12)之上、沉积(46)一金属层(21)于该第一电极(14)之一表面上、以使用一非均匀之反应程序(21)来对该金属层(21)做化学反应(50；52；或54)，以形成一具有均匀穿隧阻抗(16)之绝缘通道障蔽层，并且沉积(56)一第二电极(18)于该均匀穿隧绝缘层(16)之上。

主权项

2.如申请专利范围第1项之多层薄膜装置,其中该渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层是由氧化铝所形成。3.如申请专利范围第2项之多层薄膜装置,其中氧化铝具有一横向组成之渐变梯度,以补偿铝一开始之厚度渐变梯度。4.如申请专利范围第1项之多层薄膜装置,其中该渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层在对边较中央富含氧气。5.如申请专利范围第1项之多层薄膜装置,其中该渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层在一中央位置较对边富含氧气。6.一种多层薄膜装置,包含:一具有一表面之基材;一金属针脚形成于基材之表面上;一第一电极形成于该金属针脚之表面上,该第一电极包括一铁磁层;一渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层形成于该第一电极一表面上,该渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层包括均匀之穿隧阻抗,及一横向组合渐变梯度,以补偿一开始之材料厚度的渐变梯度;及一第二电极形成于该渐变化学计量绝缘通道障蔽层一表面上,该第二电极包括一铁磁层。7.一种制作多层薄膜结构的方法,包含以下步骤:提供一具有一表面之基材;形成一第一电极形成于基材之表面上,该第一电极具有一上表面及一下表面;形成一金属层于该第一电极之上表面上;化学反应该金属层,以形成一具有一上表面及均匀穿隧阻抗的渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层;及形成一第二电极,于该渐变化学计量绝缘通道障蔽层之上表面上。8.如申请专利范围第7项之制作多层薄膜结构之方法,其中该化学反应该金属层以形成渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层的步骤,包括曝光至一具有一非均匀之束电流断层面之离子束。9.如申请专利范围第7项之制作多层薄膜结构之方法,其中该化学反应该金属层以形成渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层的步骤,包括曝光至一具有一非均匀密度之电浆。10.如申请专利范围第7项之制作多层薄膜结构之方法,其中该化学反应该金属层以形成渐变化学计量绝缘穿隧障蔽层的步骤,包括一光开关动作,其将该层之一区域曝光的时间较其他区域的时间长。图式简单说明:图1示一根据本发明方法所形成完全之多层薄膜结构第一具体实施例的横剖面图;图2示一根据本发明方法所形成的渐变化学计量障蔽层之放大横剖面图;图3示一根据本发明所形成的渐变化学计量障蔽层之放大横剖面图;图4示一根据本发明所形成的渐变化学计量障蔽层之放大横剖面图;及图5示一根据本发明所形成的渐变化学计量绝缘层方法之流程图。