| 主权项 |
1.接触孔的形成方法,包含以下各步骤:形成一第一介电层于一基板上;形成一第二介电层于该第一介电层上;形成一导电层于该第二介电层上;形成一第三介电层于该导电层上;形成一接触孔,其穿过该第三介电层、导电层、与第二介电层并到达该第一介电层;形成接触绝缘层,其使该导电层与该接触孔的内壁绝缘;与移除接触孔下的该第一介电层以露出有基板。2.依申请专利范围第1项之该接触孔的形成方法,其中:形成该第一介电层包含以化学气相沈积技术沈积一包含氮化矽的层。3.依申请专利范围第1项之该接触孔的形成方法,其中:形成该第二介电层包含沈积一包含掺杂的二氧化矽的层。4.依申请专利范围第3项之该接触孔的形成方法,其中;沈积一包含掺杂的二氧化矽的层包含沈积硼磷矽玻璃。5.依申请专利范围第1项之该接触孔的形成方法,其中:形成一接触孔含电浆蚀刻。6.依申请专利范围第1项之该接触孔的形成方法,其中:形成接触绝缘层包含氧化由形成该接触孔所露出的该导电层的多个部分。7.依申请专利范围第1项之该接触孔的形成方法,其中:形成接触绝缘层包含形成绝缘侧壁于该接触孔的内壁上。8.依申请专利范围第7项之该接触孔的形成方法,其中;形成绝缘侧壁包含以化学气相沈积技术沈积一氮化矽层与非等向性蚀刻该氮化矽层。9.依申请专利范围第1项之该接触孔的形成方法,其中:移除该接触孔下的该第一介电层包含以包含该第三介电层的一蚀刻遮罩进行蚀刻。10.一种半导体接触构造,包含:一基板;一第一介电层,形成在该基板上;一第二介电层,形成在该第一介电层上;一导电层,形成在该第二介电层上;一第三介电层,形成在该导电层上;一接触孔,延伸穿过该第三介电层、导电层、第二介电层、与第一介电层到达该基板;与一绝缘层构造,使该接触孔的内壁与该导电层绝缘。11.依申请专利范围第10项之半导体接触构造,其中:该第一介电层包含氮化矽。12.依申请专利范围第11项之半导体接触构造,其中:该第二介电层包含二氧化矽。13.依申请专利范围第12项之半导体接触构造,其中:该第二介电层包含硼磷矽玻璃。14.依申请专利范围第11项之半导体接触构造,其中:该第三介电层包含二氧化矽。15.依申请专利范围第10项之半导体接触构造,其中:该导电层包含复晶矽。16.依申请专利范围第10项之半导体接触构造,其中:该绝缘层构造包含氧化构造,其形成系藉由氧化由形成该接触孔所露出的该导电层的多个部分。17.依申请专利范围第10项之半导体接触构造,其中:该绝缘层构造包含一绝缘侧壁形成在该接触孔的该内壁上。18.一种半导体的制造方法,包含以下各步骤:形成一第一介电层于一基板上;形成一接触孔,其包含一第一介电层作为底部接触表面并将至少一导电层露出于该接触孔的内壁上;形成一绝缘层构造于该导电层于该接触孔该内壁上的多个部分;与蚀刻穿过该底部接触表面以露出该基板。19.依申请专利范围第18项之半导体的制造方法,其中:形成一绝缘层构造,其包含氧化该导电层所露出的多个部分。20.依申请专利范围第18项之半导体的制造方法,其中:形成一绝缘层构造,其包含形成绝缘侧壁于该接触孔的该内壁上。图式简单说明:图1A到1C为第一实施例的剖面图。图2A到2C为第二实施例的剖面图。图3A到3C为显示第一习用位元线于电容构造上,包含相关之缺点的剖面图。图4为第二习用位元线于电容构造上的剖面图。图5为第三习用位元线于电容构造上的剖面图。图6A到6E为显示习用制程的剖面图。 |
