| 主权项 |
1.一种控制陶瓷晶圆支撑基座内热梯度的设备,该设备至少包含:一加热控制器包括一相角控制电路,其中该相角控制电路以在接收该加热控制器所传来的一电流控制讯号后,而产生一射角控制讯号,该射角控制讯号限制传送至一置于该控制陶瓷晶圆支撑基座中间部分内之一阻抗加热器的最大电流量于一预设値之下。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之加热控制器更包含一交流电源。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述之交流电源更包含:一对矽控整流器(SCRs),耦合至该相角控制电路,以控制传送至该阻抗加热器的交流电压。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之加热控制器更包含:一束缚器(clamp),以产生电流控制讯号;及一对矽控整流器,耦合至该相角控制电路,以控制传送至该阻抗加热器的交流电压。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之加热控制器为一设置于陶瓷晶圆支撑基座内的阻抗材料。6.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之加热控制器更包含:一适应型控制器(adaptive controller),以因应复数种参数而控制耦合至阻抗加热器的电流。7.一种控制陶瓷晶圆支撑基座内热梯度的设备,该设备至少包含:一加热控制器包括一相角控制电路,其中该相角控制电路以在接收该加热控制器所传来的一电流控制讯号后,而产生一射角控制讯号,该射角控制讯号限制传送至一阻抗加热器的最大电流量于一预设値之下。8.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述之加热控制器更包含一交流电源。9.如申请专利范围第8项所述之设备,其中上述之交流电源更包含:一对矽控整流器(SCRs),耦合至该相角控制电路,以控制传送至该阻抗加热器的交流电压。10.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述之加热控制器更包含:一束缚器(clamp),以产生功率控制讯号,用以限制传送至该阻抗加热器的电功率于该预设値之下;及一对矽控整流器(SCRs),耦合至该相角控制电路,以控制传送至该阻抗加热器的交流电压。11.如申请专利范围第10项所述之设备,其中上述之束缚器更包含一乘法器(multiplier),将一测得的均方根电流値乘以一测得的均方根电压値,以产生一功率値,用以产生一功率控制讯号。12.如申请专利范围第10项所述之设备,其中上述之加热控制器为一设置于陶瓷晶圆支撑基座内的阻抗材料。13.如申请专利范围第10项所述之设备,其中上述之加热控制器更包含:一适应型控制器(adaptive controller),以因应复数种参数而控制耦合至阻抗加热器的功率。14.一种降低陶瓷晶圆支撑基座内热梯度的方法,该方法至少包含下列步骤:一限制步骤,当该陶瓷晶圆支撑基座的温度相对较低时,限制一加热控制器所产生的电流;及传送该限制之电流至一设置于该陶瓷晶圆支撑基座内的阻抗加热器;其中该限制步骤更包括:在接收该加热控制器所传来的一电流控制讯号后,而产生一射角控制讯号;及使用该射角控制讯号限制传送至一置于该控制陶瓷晶圆支撑基座内之一阻抗加热器的最大电流量于一预设値之下。15.一种降低陶瓷晶圆支撑基座内热梯度的方法,该方法至少包含下列步骤:一限制步骤,当该陶瓷晶圆支撑基座的温度相对较低时,限制一加热控制器所产生的功率;及传送该限制之电流至一设置于该陶瓷晶圆支撑基座内的阻抗加热器;其中该限制步骤更包括:测量该加热控制器所产生的电压及电流;将该电压及电流相乘以产生一功率讯号;限制该功率讯号的大小;并使用该限制之功率讯号以限制该加热控制器所产生的功率。图式简单说明:第1图为本发明陶瓷基座组合的截面图,包含一以加热控制器驱动之阻抗加热器;第2图为沿着第1图中阻抗加热器虚线2-2所呈现的剖面图;第3图为本发明第一实施例中加热控制器的方块图;第4图为本发明阻抗加热器所产生的功率对温度之函数曲线图;及第5图为本发明第二实施例中加热控制器的方块图。 |
