半导体制造方法

摘要

提供一种制造半导体之方法，其能充份减少一晶状矽膜中的催化元素(catalytic)，且能增大留在基材上的晶状矽膜的面积。对一基材上的非晶矽膜引入一用以加速结晶作用的催化元素，并实行一第一热处理，使该非晶矽膜结晶成一晶状矽膜。在该晶状矽膜的表面上提供一罩幕层，该罩幕层在厚度方向上有一贯穿的开口。在其上进一步形成一牺牲膜(sacrificefilm)，以便连续覆盖罩幕层表面及晶状矽膜对应于该开口的部份。对该牺牲膜及晶状矽膜对应于开口的部份，引入一用以吸杂(gettering)催化元素的吸杂元素(gettering element)。实行一第二热处理，藉而使催化元素从晶状矽膜通过开口而被吸杂(gettered)至牺牲膜。

主权项

1.一种半导体制造方法,其包含步骤:在一基材上形成一非晶矽膜;对该非晶矽膜引入一用以加速结晶作用的催化元素,并实行一第一热处理,使非晶矽膜结晶成一晶状矽膜;在该晶状矽膜的表面上提供一罩幕层,该罩幕层在厚度方向上有一贯穿的开口;形成一牺牲膜,其连续地覆盖罩幕层表面及晶状矽膜对应于该开口的部份;对该牺牲膜及晶状矽膜对应于开口的部份,引入一用以吸杂催化元素的吸杂元素;以及实行一第二热处理,以使催化元素从晶状矽膜通过罩幕层的开口而被吸取至牺牲层。2.如申请专利范围第1项之半导体制造方法,其中该罩幕层包含二氧化矽膜、氮化矽膜及SiON膜三者至少其中之一。3.如申请专利范围第1项之半导体制造方法,其中该牺牲层之材料为非晶矽、多晶矽及单晶矽其中任一种。4.如申请专利范围第1项之半导体制造方法,其中该第二热处理之温度设定在500℃至700℃范围内。5.如申请专利范围第1项之半导体制造方法,其中系由下列各物:Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt及Au,所选出的一种元素或复数种元素,用做为催化元素。6.如申请专利范围第1项之半导体制造方法,其中系由下列各物:氮、磷、砷、锑及铋,所选出的一种元素或复数种元素,用做为吸杂元素。图式简单说明:图1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I、1J、1K、1L及1M为显示本发明一实施例之半导体制造方法实行制程的截视图;图2为解释依先前技艺之吸取制程的视图。