| 主权项 |
1.一种成膜装置,具备:在被成膜物品(10)上形成结 晶性矽膜用之矽膜形成用真空槽(C1-C6); 该被成膜物品(10)的被成膜面上形成结晶性矽膜的 前段膜用之设于该真空槽(C3)的成膜部、及 为进行该前段膜之结晶化处理,在该前段膜进行能 量束照射而设置在与上述相同真空槽(C3)的能量束 照射部; 上述成膜部系于被成膜物品(10)之被成膜面的第1 方向长度上形成上述前段膜,且含有前段膜用之等 离子CVD,和加热装置(3A); 上述能量束照射部系将能量束照射于被成膜物品( 10)之被成膜面的第1方向长度上, 并且上述矽膜形成用真空槽(C4)设置使上述被成膜 物品(10)可横跨其被成膜面之上述第1方向而朝着 第2方向移动的物品搬运装置。 利用该物品搬运装置使上述被成膜物品(10)朝着上 述第2方向移动,藉此可在该被成膜物品(10)的被成 膜面上持续形成上述前段膜,使该前段膜通过能量 束照射领域而依序形成结晶性矽膜。2.如申请专 利范围第1项之成膜装置,其中上述成膜部具备可 对于被成膜物品(10)照射离子束之离子源(2)。3.如 申请专利范围第2项之成膜装置,其中上述离子源(2 )系可以100eV-10keV之照射能量照射离子束者。4.如 申请专利范围第1项或第2项或第3项之成膜装置,其 中上述成膜部包含上述前段膜形成用之等离子CVD 装置。5.如申请专利范围第1项或第2项或第3项之 成膜装置,其中被成膜物品(10)的被成膜面上,将可 形成电气绝缘性膜之电气绝缘性膜形成用真空槽( C5)连接在上述矽膜形成用真空槽(C4)上可保持与外 部之间的气密性。6.如申请专利范围第4项之成膜 装置,其中被成膜物品(10)的被成膜面上,将可形成 电气绝缘性膜之电气绝缘性膜形成用真空槽(C5)连 接在上述矽膜形成用真空槽(C4)上可保持与外部之 间的气密性。7.如申请专利范围第1项或第2项或第 3项之成膜装置,其中在成膜前可将被成膜物品(10) 加热之预备加热用真空槽(C3)是连接上述矽膜形成 用真空槽(C4)以保持与外部之间的气密性。8.如申 请专利范围第4项之成膜装置,其中在成膜前可将 被成膜物品(10)加热之预备加热用真空槽(C3),是连 接上述矽膜形成用真空槽(C4)以保持与外部之间的 气密性。9.如申请专利范围第5项之成膜装置,其中 在成膜前可将被成膜物品(10)加热之预备加热用真 空槽(C3),是连接上述矽膜形成用真空槽(C4)以保持 与外部之间的气密性。10.如申请专利范围第6项之 成膜装置,其中在成膜前可将被成膜物品(10)加热 之预备加热用真空槽(C3),是连接上述矽膜形成用 真空槽(C4)以保持与外部之间的气密性。11.如申请 专利范围第1项或第2项或第3项之成膜装置,其中在 外部之间将可进行各被成膜物品(10)间互换的预备 真空槽(C2)连接于上述矽膜形成用真空槽(C4)以保 持与外部之间的气密性。12.如申请专利范围第4项 之成膜装置,其中在外部之间将可进行各被成膜物 品(10)间互换的预备真空槽(C2)连接于上述矽膜形 成用真空槽(C4)以保持与外部之间的气密性。13.如 申请专利范围第5项之成膜装置,其中在外部之间 将可进行各被成膜物品(10)间互换的预备真空槽(C2 )连接于上述矽膜形成用真空槽(C4)以保持与外部 之间的气密性。14.如申请专利范围第6项之成膜装 置,其中在外部之间将可进行各被成膜物品间(10) 互换的预备真空槽(C2)连接于上述矽膜形成用真空 槽(C4)以保持与外部之间的气密性。15.如申请专利 范围第7项之成膜装置,其中在外部之间将可进行 各被成膜物品(10)间互换的预备真空槽(C2)连接于 上述矽膜形成用真空槽(C4)以保持与外部之间的气 密性。16.如申请专利范围第8项之成膜装置,其中 在外部之间将可进行各被成膜物品(10)间互换的预 备真空槽(C2)连接于上述矽膜形成用真空槽(C4)以 保持与外部之间的气密性。17.如申请专利范围第9 项之成膜装置,其中在外部之间将可进行各被成膜 物品(10)间互换的预备真空槽(C2)连接于上述矽膜 形成用真空槽(C4)以保持与外部之间的气密性。18. 如申请专利范围第10项之成膜装置,其中在外部之 间将可进行各被成膜物品(10)间互换的预备真空槽 (C2)连接于上述矽膜形成用真空槽(C4)以保持与外 部之间的气密性。19.一种结晶性矽膜之形成方法, 其特征为,包含: 被成膜物品(10)具有形成结晶性矽烷用之矽膜形成 用真空槽(C4),在该被成膜物品(10)的被成膜面形成 结晶性矽膜之前段膜用的成膜部,及为进行该前段 膜之结晶化处理前于该前段膜上设置准备进行能 量束照射之能量束照射部的成膜装置之步骤,以及 ; 于上述矽膜形成用真空槽(C4)内设置被成膜物品(10 ),该成膜物品(10)之被成膜面上藉上述成膜部形成 结晶性矽膜前段膜的步骤;及, 上述前段膜的形成领域上,于上述相同之真空槽(C4 )内从上述能量束照射部对于该前段膜照射该膜之 结晶化处理用的能量束而形成以该前段膜为目的 之结晶性矽膜的步骤, 上述成膜部系采用上述被成膜物品(10)之被成膜面 第1方向的全长形成上述前膜部,前述成膜部,系以 等离子CVD进行前段膜形成,而含有对前述被成膜物 品(10)可用500eV-10keV离子束照射之离子源(2),同时上 述能量束照射部是采用可使能量束照射被成膜物 品(10)之被成膜面上述第1方向的全长,藉该成膜部 在该成膜物品(10)的被成膜面上跨越上述第1方向 持续形成上述前段膜,使该被成膜物品(10)朝横跨 上述第1方向的第2方向移动而从上述能量束照射 部,在所形成之前段膜上照射能量束形成依序目的 之结晶性矽膜。20.如申请专利范围第19项之结晶 性矽膜的形成方法,其中于上述矽膜形成用真空槽 (C4)上更设置离子源(2),藉上述成膜部之上述前段 膜的形成步骤朝着被成膜物品(10)之被成膜面持续 照射离子束而在该被成膜面上形成结晶性矽膜的 前段膜。21.如申请专利范围第19项之结晶性矽膜 的形成方法,其中于上述矽膜形成用真空槽(C4)上 更设置离子源(2),于上述成膜部之上述前段膜的形 成步骤之前,从该离子源(2)朝着被成膜物品(10)之 被成膜面照射离子束而将上述前段膜形成于离子 束所照射之该被成膜面上。22.如申请专利范围第 19项之结晶性矽膜的形成方法,其中于上述矽膜形 成用真空槽(C4)上更预先设置离子源(2),于上述成 膜部之上述前段膜的形成步骤初期,从该离子源(2) 朝上述被成膜物品(10)的被成膜面照射离子束。23. 如申请专利范围第19项之结晶性矽膜的形成方法, 其中于上述矽膜形成用真空槽(C4)上更预先设置离 子源(2),于上述成膜部之上述前段膜的形成步骤前 以至该前段膜形成的初期,朝着上述被成膜物品(10 )的被成膜面照射离子束。24.如申请专利范围第20 项之结晶性矽膜的形成方法,其中上述离子束照射 能量为100eV-1keV者。25.如申请专利范围第21项之结 晶性矽膜的形成方法,其中上述离子束照射能量为 500eV-10keV者。26.如申请专利范围第22项之结晶性矽 膜的形成方法,其中上述离子束照射能量为500eV-10 keV者。27.如申请专利范围第22项之结晶性矽膜的 形成方法,其中上述离子束照射能量为2keV-10keV者 。28.如申请专利范围第23项之结晶性矽膜的形成 方法,其中上述离子束照射能量为500eV-10keV者。29. 如申请专利范围第20项之结晶性矽膜的形成方法, 其中上述成膜部系采用等离子CVD进行成膜者。30. 如申请专利范围第29项之结晶性矽膜的形成方法, 其中于上述等离子CVD进行前段膜形成时,系使用矽 系气体与氢气混合气体作为成膜用气体者。图式 简单说明: 第1图是表示本发明成膜装置之1例的概略构成图 。 第2图是表示本发明成膜装置之其他例的概略构成 图。 第3图是表示本发明成膜装置之另外其他例的概略 构成图。 第4图是表示本发明成膜装置之又一另外其他例的 概略构成图。 |
