| 主权项 |
1.一种静电透镜之控制方法,使用于以电荷粒子束 照射物体之装置,包含: 以电场或磁场拂掠电荷粒子; 以法拉第杯接收拂掠电荷粒子束; 量测电荷粒子束之波束数量及电荷粒子束拂掠方 向电荷粒子束的波束宽度; 相对于波束数量/波束宽度预设标准,计算个别之 评估値; 分配加权至该评估仅以计算其单一评估値;及控制 该静电透镜以减少该单一评估値。2.如申请专利 范围第1项之方法,其中该方法系一以电荷粒子束 照射一物体之离子植入装置的作用。3.如申请专 利范围第1项之方法,其中该方法系控制电子显微 镜电子束之作用。4.一种以离子束照射一物体之 离子植入装置,包含: 一静电透镜,用以会聚或发散离子束; 一拂掠单位,用以拂掠离子束通过该静电透镜; 一法拉第杯,用以接收拂掠离子束,及 一控制器,用以根据该法拉第杯量测信号控制该静 电透镜, 其中该控制器量测在该法拉第杯位置之电荷粒子 波束数量及电荷粒子束拂掠方向之波束宽度,计算 单位用以计算相对波束数量/波束宽度预设标准之 个别评估値,分配加权至该评估値以计算其单一评 估値,及控制该静电透镜以增加该单一评估値。5. 如申请专利范围第4项之离子植入装置,其中该静 电透镜系一调整Q透镜。6.如申请专利范围第4项之 离子植入装置,包含一加速管,其中该静电透镜系 合并于该加速管内。图式简单说明: 图1系用来进行根据本发明控制方法之离子植入装 置一例的主要部分; 图2系根据本发明控制方法一例之流程图; 图3系波束波形一例; 图4系习知离子植入装置一例平面图; 图5系习知离子植入装置一例主要部分; 图6系具有图1,4与5静电透镜加速管一例的截面图; 图7系聚焦电压与波束电流之间关系一例;及 图8系说明所需之波束拂掠宽度。 |
