| 主权项 |
1.一种改良的高品质因数电容器,包括: 至少一个底导电板; 一介电层与该至少一个底导电板耦合; 复数个顶导电板与介电层耦合; 复数个金属接点耦合到至少一个底导电板,其中的 复数个接点中,至少一个是位于复数个顶导电板中 之两个所构成的间隙处;以及 复数个第二金属接点耦合到复数个顶导电板; 其中电容器是制作在一单一单石积体电路上。2. 如申请专利范围第1项的电容器,其中至少一个底 导电板的材料是选用自复晶矽及单晶矽基底。3. 如申请专利范围第1项的电容器,其中介电层的材 料选用自二氧化矽、氮化矽及氧氮化物。4.如申 请专利范围第1项的电容器,其中复数个顶导电板 的材料选用自复晶矽及金属。5.如申请专利范围 第1项的电容器,其中的至少一个底导电板包括单 一的导导电板。6.如申请专利范围第1项的电容器, 其中的至少一个底导电板包括复数个底导电板。7 .如申请专利范围第6项的电容器,其中的复数个底 导电板是导电材料按长条架构而成。8.如申请专 利范围第7项的电容器,其中的复数个底导电板被 介电材料相互隔开。9.如申请专利范围第8项的电 容器,其中复数个底导电板中的每一个与复数个第 一金属接点其中之一耦合。10.如申请专利范围第1 项的电容器,其中的复数个顶导电板是导电材料按 长条架构而成。11.如申请专利范围第10项的电容 器,其中的复数个顶导电板被介电材料相互隔开。 12.如申请专利范围第11项的电容器,其中复数个顶 导电板中的每一个与复数个第二金属接点其中之 一耦合。13.如申请专利范围第1项的电容器,其中 与该至少一个底导电板有关之金属接点和与该等 复数个顶导电板有关之金属接点间的距离具有一 预定値,藉此降低一串联电阻。14.如申请专利范围 第1项的电容器,其中与该至少一个底导电板有关 之金属接点和与该等复数个顶导电板有关之金属 接点间的距离具有一预定値,藉此改善该电容器的 品质因数。15.如申请专利范围第1项的电容器,其 中的电容器是制作在一单一单石积体电路上。16. 一种改良的高品质因数电容器,包括: 一个底导电板; 一介电层与该至少一个底导电板耦合; 一个顶导电板与介电层耦合,顶导电板中包括复数 个孔; 复数个金属接点耦合到底导电板,其中复数个接点 中至少一个穿过复数个孔至少其中一个,且不接触 顶导电板;以及 复数个第二金属接点耦合到顶导电板; 其中的电容器是制作在一单一单石积体电路上。 17.如申请专利范围第16项的电容器,其中底导电板 的材料是选用自复晶矽及单晶矽基底。18.如申请 专利范围第16项的电容器,其中介电层的材料选用 自二氧化矽、氮化矽及氧氮化物。19.如申请专利 范围第16项的电容器,其中复数个顶导电板的材料 选用自复晶矽及金属。20.如申请专利范围第16项 的电容器,其中与该至少一个底导电板有关之金属 接点和与该等复数个顶导电板有关之金属接点间 的距离具有一预定値,藉此降低一串联电阻。21.如 申请专利范围第16项的电容器,其中与该至少一个 底导电板有关之金属接点和与该等复数个顶导电 板有关之金属接点间的距离具有一预定値,藉此改 善该电容器的品质因数。22.如申请专利范围第16 项的电容器,其中的电容器是制作在一单一单石积 体电路上。图式简单说明: 图1是说明习知技术。 图2是本发明第一实施例的横剖面图。 图3是本发明第二实施例的横剖面图。 图4A是本发明第三实施例的斜视图。 图4B是本发明第三实施例的顶视图。 |
