半导体装置之制造方法

摘要

【课题】使黏着层之定位精度、与利用DBG法使半导体装置小型化两者能同时兼顾。【解决手段】在晶圆1之形成有所望电路的表面上，形成切割自晶圆1的晶粒13和其他构件黏着用的黏着层4；对从表面侧分离用的凹槽9且形成有黏着层4之晶圆1，自其背面侧实施薄膜化处理直到前述凹槽9露出为止。由于在将每个晶粒13切割之前，也就是在进行背面研磨(back grinding)之前，在晶圆1上形成黏着层4，所以可以获得黏着层4形成的定位精度；另一方面，由于使黏着层4形成于晶圆1之所望电路所形成的表面上，所以在非电路形成面的背面侧可以进行背面研磨，因此黏着层4的定位精度和利用背面研磨法使半导体装置小型化两者皆能兼顾。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,其特征在于具有: 黏着层形成步骤,在晶圆之形成有所望电路的表面 上,形成切割自晶圆的晶粒和其他构件黏着用的黏 着层;及 薄膜化步骤,对从前述表面侧分离用的凹槽且形成 有黏着层之前述晶圆,自其背面侧实施薄膜化处理 直到前述凹槽露出为止。2.如申请专利范围第1项 之半导体装置之制造方法,其中,在前述黏着层形 成步骤和前述薄膜化步骤之间,具有半切割步骤, 以形成前述分离用的凹槽。3.如申请专利范围第1 项之半导体装置之制造方法,其中,在前述黏着层 形成步骤和前述薄膜化步骤之间,具有保持步骤, 使用来将复数个前述晶粒保持成一体之保持构件 黏着于前述黏着层。4.如申请专利范围第2项之半 导体装置之制造方法,其中,在前述黏着层形成步 骤和前述薄膜化步骤之间,具有保持步骤,使用来 将复数个前述晶粒保持成一体之保持构件黏着于 前述黏着层。5.如申请专利范围第1-4项中任一项 之半导体装置之制造方法,其中,前述黏着层系被 覆于前述表面上除了金属突块以外之部分。6.如 申请专利范围第1-4项中任一项之半导体装置之制 造方法,其中,前述其他构件为晶粒。7.如申请专利 范围第5项之半导体装置之制造方法,其中,前述其 他构件为晶粒。图式简单说明: 图1之(a)至(d)系表示本发明之实施形态之黏着层形 成步骤之截面图。 图2系表示以形成黏着层及凹槽后之状态之晶圆的 俯视图。 图3(a)为半切割步骤、(b)为利用BG用胶片付贴之保 持步骤、(c)为利用背面研磨等之薄膜化步骤、(d) 为将晶圆保持胶片贴于晶圆之贴附步骤、(e)为BG 用胶片除去步骤、(f)为挑取晶粒之步骤,之截面图 。 图4(a)至(i)系利用DBG法之习知半导体装置制造方法 之截面图。 图5(a)至(d)系使用黏着胶片之习知半导体装置制造 方法之截面图。