发明名称 薄膜电晶体积体装置及其制造方法与液晶显示装置
摘要 本发明系藉由可以将基板内具有均等强度之电场对基板面呈平行方向形成之薄膜电晶体积体装置,而提供一种使用对液晶施加对基板面成平行方向之电场之方式,同时,无显示不匀且具有高开口率之液晶显示装置。本发明系与闸极2同时将用于形成对基板面成平行方向的电场且分别呈梳形之汲极侧电极和对向电极4互相面对形成在玻璃基板1上。接着在全面形成闸极绝缘膜5后,在汲极侧电极3上之闸极绝缘膜5形成接触孔8。其次,在闸极2上隔着闸极绝缘膜5形成半导体层及源极配线9/汲极10,并藉接触孔8而使汲极侧电极3与汲极10相连接。最后,全面形成保护膜。
申请公布号 TW493100 申请公布日期 2002.07.01
申请号 TW086102852 申请日期 1997.03.08
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 升谷雄一;沼野良典;小林和弘
分类号 G02F1/136;H01L29/784 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种薄膜电晶体积体装置,其特征为具有: 与控制电极同时形成在基板上,以形成对上述基板 面成平行方向的电场,且分别呈梳形,并配置成互 相对向之第一电极及第二电极; 形成在上述控制电极、第一电极及第二电极上之 绝缘膜; 在上述控制电极上面隔着上述绝缘膜形成之半导 体层;以及 一对电极,其中的任一系连接于与上述半导体层共 同构成半导体元件之上述第一电极或第二电极。2 .如申请专利范围第1项之薄膜电晶体积体装置,其 中,对基板面成平行方向电场之形成区域两侧设有 :在控制电极侧之保持电容量用之配线,及位在其 相反侧而用于对第一电极或第二电极施加电压之 配线。3.申请专利范围第2项之膜电晶体积体装置, 其中,保持电容量用之配线和对第一电极或第二电 极施加电压之配线,系至少由一支第一电极或第二 电极电性连接者。4.一种薄膜电晶体积体装置之 制造方法,包括: 在基板上同时以相同材料形成控制电极、分别呈 梳形且配置成互相对向之第一电极及第二电极的 制程; 在上述控制电极、第一电极及第二电极上形成绝 缘膜之制程; 在上述控制电极上面隔着上述绝缘膜形成半导体 层之制程;以及 形成与上述半导体层共同构成半导体元件之一对 电极之制程。5.如申请专利范围第4项之薄膜电晶 体积体装置之制造方法,其中,保持电容量用之配 线系由与控制电极、第一电极及第二电极相同之 材料同时形成者。6.如申请专利范围第4或第5项之 薄膜电晶体积体装置之制造方法,其中,包含至少 对控制电极、第一电极或第二电极施加电压之配 线及保持电容量用之配线中之任一者被覆低电阻 材料之制程。7.一种液晶显示装置,其特征为具有: 透明绝缘性基板; 在上述透明绝缘性基板上形成如申请专利范围第1 项所记载之薄膜电晶体积体装置;以及 与上述透明绝缘性基板共同夹持液晶材料之对向 基板。图式简单说明: 第1图为本发明实施例1之薄膜电晶体积体装置俯 视图。 第2图为本发明实施例1之薄膜电晶体积体装置之 制程剖面图。 第3图为本发明实施例2之薄膜电晶体积体装置俯 视图。 第4图为本发明实施例3之薄膜电晶体积体装置俯 视图。 第5图为本发明实施例3之薄膜电晶体积体装置俯 视图。 第6图为本发明实施例4之薄膜电晶体积体装置俯 视图。 第7图为本发明实施例4之薄膜电晶体积体装置之 制程剖面图。 第8图为本发明实施例5之薄膜电晶体积体装置俯 视图。 第9图为本发明实施例5之薄膜电晶体积体装置剖 面图。 第10图为本发明实施例6之薄膜电晶体积体装置之 液晶面板剖面图。 第11图为以往此种液晶显示装置之液晶面板剖面 图。 第12图为以往此种液晶显示装置于显示时之局部 性电极间隔与面板透过率的测定结果之图表。 第13图为根据实验结果而整理电极宽度之变动量 与面板透过率变动量之关系所得之图表。
地址 日本