DIODE DE DECALAGE EN TENSION REALISEE EN TECHNOLOGIE INTEGREE MONOLITHIQUE HYPERFREQUENCE, NOTAMMENT POUR EMETTEUR OPTOELECTRONIQUE HYPERFREQUENCE A TRES LARGE BANDE

摘要

Le dispositif d'interface comprend une diode (DD) de décalage en tension réalisée en technologie intégrée monolithique hyperfréquence, montée entre la sortie (S) du circuit amont (16) et l'entrée du circuit aval (18). La caractéristique de la diode de décalage (DD) est choisie de telle sorte que la tension de polarisation (VD) du circuit amont (16) soit décalée d'un décalage correspondant sensiblement à l'écart entre les tensions de polarisation (VD et VL) des circuits amont (16) et aval (8). Le courant de polarisation du circuit aval est relativement élevé par rapport au courant de seuil de la diode de décalage.